[发明专利]显示面板及显示装置

说明书

本申请实施例提供一种显示面板以及显示装置，所述显示面板包括：包括反射层的阵列基板以及连接于所述阵列基板的微发光二极管；其中，所述反射层位于所述微发光二极管的侧部，用于将所述微发光二极管发出的光朝向所述显示面板的显示面进行反射。本申请实施例能够在提高微发光二极管转移成功率的同时，进一步提高微发光二极管的发光效率。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种显示面板及显示装置。

背景技术

Micro-LED(Micro Light-Emitting Diode,微型发光二极管)技术，即LED微缩化和矩阵化技术，指的是在一个芯片上集成的高密度微小尺寸的LED阵列。相较目前应用的液晶显示器件以及OLED(OrganicLight-Emitting Diode，有机电致发光二极管)显示器件相比，具有反应快、高色域、高PPI、低能耗等优势，成为未来显示技术的研究热点之一。

但是，Micro-LED发光单元为点光源，其发光具有点光源特征，在使用中其大部分光无法被利用，降低了Micro-LED显示装置的发光效率。同时，在制造Micro-LED发光单元的过程中，首先在施主晶圆上形成Micro-LED发光单元，接着将Micro-LED发光单元转移到接受衬底上，接受衬底例如是显示屏；而由于需要把巨量的Micro-LED发光单元从母版转移到目标显示基板，因此，此项精确转移被认为是目前Micro-LED发光单元主要的制作瓶颈之一，导致使用这种方法转移Micro-LED发光单元的效率和良率均有较大的问题，大大降低微发光二极管显示面板的良率。

因此，如何改善现有显示面板及显示装置，由于微发光二极管的发光效率低且转移成功率低的技术问题，是本领域技术人员目前亟待解决的技术问题。

发明内容

本申请实施例提供一种显示面板及显示装置，可以在提高微发光二极管转移成功率的同时，进一步提高微发光二极管的发光效率。

本申请实施例提供一种显示面板，包括：包括阵列基板的反射层以及连接于所述阵列基板的微发光二极管；

其中，所述反射层位于所述微发光二极管的侧部，用于将所述微发光二极管发出的光朝向所述显示面板的显示面进行反射。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述阵列基板还包括连接电极层，所述连接电极层包括阳极以及阴极，所述微发光二极管分别与所述阳极和所述阴极电性连接；所述反射层包括两第一反射部，两所述第一反射部设置于所述阳极以及所述阴极上，并电性连接于所述阳极和所述微发光二极管，以及所述阴极和所述微发光二极管。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述微发光二极管包括本体和连接于所述本体下方的两个引脚，两所述引脚分别电连接所述阳极和和两所述第一反射部中的一个，以及所述阴极和两所述第一反射部中的另一个，所述显示面位于所述本体的背离所述引脚的一侧。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述阵列基板设有开口结构，所述开口结构暴露所述阴极和所述阳极，所述微发光二极管位于所述开口结构内，所述反射层包括两第二反射部，每一所述第二反射部连接于对应的所述第一反射部并位于所述开口结构的侧壁上。

可选的，在本申请的一些实施例中，每一所述第一反射部与对应的所述第二反射部之间的夹角大于90°。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述反射层包括ITO/Ag/ITO导电层、Al金属层以及Mg金属层中的任意一种。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述阵列基板包括薄膜晶体管阵列层，所述薄膜晶体管阵列层还包括栅极、位于所述栅极上的栅极绝缘层、位于所述栅极绝缘层上的层间绝缘层、位于所述层间绝缘层上的源极金属层以及漏极金属层，所述漏极金属层电连接所述阳极。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述阳极位于所述栅极绝缘层和所述层间绝缘层之间。