[发明专利]用于离子植入源的绝缘体

说明书

一种用于离子植入源的绝缘体可在离子植入源的高电压组件与相对较低电压组件之间提供电绝缘。为了减小沿绝缘体形成泄漏路径的可能性和/或防止沿绝缘体形成泄漏路径，绝缘体可包括具有来回图案的内部空腔。内部空腔的来回图案会增大离子植入源中的气体分子的平均自由程且会增大不直接暴露于或向外暴露于气体分子的绝缘体的表面积。这使得更难和/或更不可能沿绝缘体形成连续的膜或涂层，这会延长离子植入源的工作时间。

技术领域

本发明的实施例是有关于一种用于离子植入源的绝缘体。

背景技术

离子植入工具是一种用于将离子植入到例如半导体晶片(semiconductor wafer)等衬底中的半导体处理工具。

发明内容

本发明实施例提供一种用于离子植入源的绝缘体，包括第一部分以及第二部分。第一部分，包括第一多个引导壁、第一多个通道以及芯体构件。第一多个通道由第一多个引导壁形成。第二部分，包括第二多个引导壁以及第二多个通道。第二多个通道由第二多个引导壁形成。当芯体构件被至少部分地嵌入到第二部分中时，第一多个引导壁、第一多个通道、第二多个引导壁及第二多个通道的组合形成通往芯体构件的第三通道。

本发明实施例提供一种离子源端头，包括提取电极、提取电压导体以及绝缘体。提取电压导体向提取电极供应提取电压。绝缘体设置在提取电压导体与离子源端头的处于离子源端头的电弧电压的电势的部分之间，以在提取电压导体与离子源端头的部分之间提供电隔离。绝缘体包括内部空腔，内部空腔具有从外表面到芯体构件的来回图案，以防止离子源端头的供应腔室中的气体在提取电压导体与离子源端头的部分之间形成泄露路径。

本发明实施例提供一种离子植入系统，包括第一电源、第二电源、气体源以及离子源端头。第一电源向离子源端头提供提取电极电压。第二电源向离子源端头提供电弧电压。气体源向离子源端头提供供应气体。离子源端头，包括绝缘体。绝缘体将提取电极电压与电弧电压电隔离。绝缘体的第一部分与绝缘体的第二部分在绝缘体中形成内部通道。内部通道包括多个路径以防止供应气体或自供应气体产生的等离子体中的至少一者涂布绝缘体。

附图说明

结合附图阅读以下详细说明，会最好地理解本公开的各个方面。应注意，根据本行业中的标准惯例，各种特征并非按比例绘制。事实上，为使论述清晰起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。

图1是本文中阐述的示例性离子植入系统的图。

图2是本文中阐述的示例性离子源端头(ion source head)的图。

图3A到图3D是本文中阐述的用于离子源端头的示例性绝缘体的图。

图4是图1的一个或多个装置的示例性组件的图。

具体实施方式

以下公开内容提供用于实施所提供主题的不同特征的许多不同的实施例或实例。以下阐述组件及布置的具体实例以简化本公开。当然，这些仅为实例而非旨在进行限制。举例来说，以下说明中将第一特征形成在第二特征之上或第二特征上可包括其中第一特征与第二特征被形成为直接接触的实施例，且也可包括其中第一特征与第二特征之间可形成有附加特征从而使得所述第一特征与所述第二特征可不直接接触的实施例。另外，本公开可能在各种实例中重复使用参考编号和/或字母。这种重复使用是出于简洁及清晰的目的，而不是自身指示所论述的各种实施例和/或配置之间的关系。

此外，为易于说明，本文中可能使用例如“在...之下(beneath)”、“在...下方(below)”、“下部的(lower)”、“在...上方(above)”、“上部的(upper)”等空间相对性用语来阐述图中所示的一个元件或特征与另一(其他)元件或特征的关系。所述空间相对性用语旨在除图中所绘示的取向外还囊括装置在使用或操作中的不同取向。设备可具有其他取向(旋转90度或处于其他取向)，且本文中所使用的空间相对性描述语可同样相应地进行解释。