[发明专利]一种上电复位电路有效
| 申请号： | 202110182500.1 | 申请日： | 2021-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN112865772B | 公开（公告）日： | 2022-03-08 |
| 发明（设计）人： | 卢立柱 | 申请（专利权）人： | 苏州领慧立芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/28 | 分类号： | H03K17/28 |
| 代理公司： | 北京思创大成知识产权代理有限公司 11614 | 代理人： | 刘亭 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市中国（江苏）自由贸易试验区苏州片区苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 复位 电路 | ||
1.一种上电复位电路，其特征在于，包括：
第一分压模块，所述第一分压模块包括多个串联的NMOS管，其中第一个所述NMOS管的漏极连接于电压源，后一个所述NMOS管的漏极连接前一个所述NMOS管的源极，且多个所述NMOS管的栅极共接于所述电压源；
第二分压模块，与所述第一分压模块串接，所述第二分压模块包括多个串联的native型NMOS管，其中第一个所述native型NMOS管的漏极连接于所述第一分压模块最后一个所述NMOS管的源极，相邻所述native型NMOS管中，后一个所述native型NMOS管的漏极连接于前一个所述native型NMOS管的源极，且每个所述native型NMOS管的栅极与各自的源极相连接，所述第二分压模块的接地端接参考地；
所述第二分压模块还包括第一NMOS管，所述第一NMOS管的漏极连接于最后一个所述native型NMOS管的源极，所述第一NMOS管的栅极连接于所述第二分压模块的第一个所述native型NMOS管的漏极，所述第一NMOS管的源极为所述第二分压模块的接地端；
反相器，连接于所述第二分压模块最后一个所述native型NMOS管的源极，所述反相器的输出端输出复位信号。
2.如权利要求1所述的上电复位电路，其特征在于，所述反相器包括CMOS反相器。
3.如权利要求1所述的上电复位电路，其特征在于，所述反相器包括串联的第一反相器、第二反相器和第三反相器。
4.如权利要求3所述的上电复位电路，其特征在于，所述第二分压模块还包括第二NMOS管，所述第二NMOS管的漏极连接于所述第二分压模块的任意两个所述native型NMOS管之间，所述第二NMOS管的栅极连接于所述第二反相器的输出端，所述第二NMOS管的源极连接于最后一个所述native型NMOS管的源极。
5.如权利要求4所述的上电复位电路，其特征在于，所述第一反相器为CMOS反相器，包括第三NMOS管和PMOS管，其中所述PMOS管的源极连接所述电压源，漏极连接所述第三NMOS管的漏极，所述第三NMOS管的源极接所述参考地，所述第三NMOS管和所述PMOS管的栅极端共接于所述第二分压模块的输出端，且所述第三NMOS管的尺寸与所述第一NMOS管的尺寸成比例设置。
6.如权利要求5所述的上电复位电路，其特征在于，所述PMOS管的宽长比小于1。
7.如权利要求1所述的上电复位电路，其特征在于，所述第一分压模块中的多个所述NMOS管的栅极通过同一电阻共接于所述电压源。
8.如权利要求3所述的上电复位电路，其特征在于，所述第一反相器、所述第二反相器和所述第三反相器中的至少一个为CMOS反相器。
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