[发明专利]一种多晶硅薄膜钝化背极插指型太阳能电池的制备方法

权利要求书

1.一种多晶硅薄膜钝化背极插指型太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤为：

（1）在P型硅基底上制备第一SiO₂隧穿层，然后再沉积一层硼掺杂的P型非晶硅薄膜；

（2）制备第二SiO₂薄膜层；

（3）注入氩离子把第二SiO₂薄膜层非晶化，使第二SiO₂薄膜层成为非晶化的第二SiO₂薄膜层；

（4）激光扫描对非晶化的第二SiO₂薄膜层进行区域修补，修补区作为湿法刻蚀的保护区；

（5）湿法刻蚀去除未被保护区保护的非晶化的第二SiO₂薄膜层，同时P型非晶硅薄膜被减薄，保护区则被保留；

（6）沉积磷掺杂的N型非晶硅薄膜；

（7）对保护区两侧的N型非晶硅薄膜和P型非晶硅薄膜进行激光刻划出隔离槽，作为插指区；

（8）对保护区对应区域的N型非晶硅薄膜进行激光晶化成多晶硅薄膜；

（9）利用多晶硅薄膜刻蚀速率大于非晶硅薄膜刻蚀速率的特点，刻蚀掉多晶硅薄膜、保护区和非晶化的第二SiO₂薄膜层；

（10）高温退火，使P型非晶硅薄膜和N型非晶硅薄膜转化为插指区的多晶硅薄膜；

（11）在插指区内制备插指区SiO₂薄膜，从而形成插指型多晶硅薄膜钝化背极；

（12）在步骤（11）的插指型多晶硅薄膜钝化背极的正面刻蚀绒面，用ALD沉积氧化铝钝化膜，用PECVD沉积SiN减反膜，背面先用PECVD沉积SiN减反膜，然后沉积背面金属，从而完成多晶硅薄膜钝化背极插指型太阳能电池的制备。

2.一种多晶硅薄膜钝化背极插指型太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤为：

（1）在N型硅基底上制备第一SiO₂隧穿层，然后再沉积一层磷掺杂的N型非晶硅薄膜；

（2）制备第二SiO₂薄膜层；

（3）注入氩离子把第二SiO₂薄膜层非晶化，使第二SiO₂薄膜层成为非晶化的第二SiO₂薄膜层；

（4）激光扫描对非晶化的第二SiO₂薄膜层进行区域修补，修补区作为湿法刻蚀的保护区；

（5）湿法刻蚀去除未被保护区保护的非晶化的第二SiO₂薄膜层，同时N型非晶硅薄膜被减薄，保护区则被保留；

（6）沉积硼掺杂的P型非晶硅薄膜；

（7）对保护区两侧的N型非晶硅薄膜和P型非晶硅薄膜进行激光刻划出隔离槽，作为插指区；

（8）对保护区对应区域的P型非晶硅薄膜进行激光晶化成多晶硅薄膜；

（9）利用多晶硅薄膜刻蚀速率大于非晶硅薄膜刻蚀速率的特点，刻蚀掉多晶硅薄膜、保护区和非晶化的第二SiO₂薄膜层；

（10）高温退火，使P型非晶硅薄膜和N型非晶硅薄膜都转化为插指区的多晶硅薄膜；

（11）在插指区内制备插指区SiO₂薄膜，从而形成插指型多晶硅薄膜钝化背极；

（12）在步骤（11）的插指型多晶硅薄膜钝化背极的正面刻蚀绒面，用ALD沉积氧化铝钝化膜，用PECVD沉积SiN减反膜，背面先用PECVD沉积SiN减反膜，然后沉积背面金属，从而完成多晶硅薄膜钝化背极插指型太阳能电池的制备。