[发明专利]一种聚吡咯包覆MoS2

权利要求书

1.一种聚吡咯包覆MoS₂/C复合材料的制备方法，包括以下步骤：

1)制备由MoS₂/C组装的空心纳米球：取二水合钼酸钠和硫脲溶于乙醇中，然后加入聚乙烯吡咯烷酮，搅拌均匀后置于高压釜中，在大于或等于150℃条件下保温反应，反应完成后进行洗涤、干燥及退火，得到由MoS₂/C组装的空心纳米球；其中，所述聚乙烯吡咯烷酮的加入量为二水合钼酸钠质量的10%以上，所述退火是在氩气中于700~900℃条件下退火1~3h；

2)制备聚吡咯包覆MoS₂/C复合材料：取由MoS₂/C组装的空心纳米球和氧化剂混合均匀，以所得混合物为原材料，以吡咯为包覆源，以高压釜作为反应室，在所述混合物和吡咯互不接触的条件下于加热条件下反应，即得到聚吡咯包覆MoS₂/C复合材料；其中，所述的氧化剂为氯化铁和/或过硫酸铵。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征是，步骤1)中，所述聚乙烯吡咯烷酮的加入量为二水合钼酸钠质量的40~50%。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征是，步骤1)中，所述二水合钼酸钠和硫脲的质量比为1：1~1：1.5。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征是，步骤1)中，反应的时间为大于或等于10h。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征是，步骤2)中，所述氧化剂的加入量为由MoS₂/C组装的空心纳米球质量的5%以上。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征是，步骤2)中，所述反应在40~60℃条件下进行。

7.一种根据权利要求1~6中任一项所述方法制备得到的聚吡咯包覆MoS₂/C复合材料。