[发明专利]半导体器件和形成半导体器件的方法

权利要求书

1.一种形成半导体器件的方法，包括：

在半导体衬底上方形成浅沟槽隔离区域；

在所述浅沟槽隔离区域上方形成栅极堆叠件；

使用各向异性蚀刻工艺蚀刻与所述栅极堆叠件相邻的所述浅沟槽隔离区域；以及

在用所述各向异性蚀刻工艺蚀刻所述浅沟槽隔离区域之后，用各向同性蚀刻工艺蚀刻所述浅沟槽隔离区域，其中，用于所述各向同性蚀刻工艺的工艺气体包括氟化氢(HF)和氨(NH₃)。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述各向同性蚀刻工艺期间，氟化氢的流量为从2sccm至7sccm，并且在所述各向同性蚀刻工艺期间，氨的流量为从6sccm至20sccm。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述各向同性蚀刻工艺期间，氨的流量与氟化氢的流量的比率为3:1。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述各向异性蚀刻工艺将所述浅沟槽隔离区域蚀刻至所述浅沟槽隔离区域的顶面下方5nm至25nm的深度，并且其中，所述各向同性蚀刻工艺将所述浅沟槽隔离区域蚀刻至所述浅沟槽隔离区域的顶面下方10nm至30nm的深度。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括：在用所述各向同性蚀刻工艺蚀刻所述浅沟槽隔离区域之后，将杂质注入至所述浅沟槽隔离区域中。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述杂质包括磷，并且其中，将所述浅沟槽隔离区域掺杂为至少1×10¹⁵原子/cm³的磷浓度。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，用所述各向同性蚀刻工艺蚀刻所述浅沟槽隔离区域70秒至80秒。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，使用所述各向异性蚀刻工艺蚀刻所述浅沟槽隔离区域在所述浅沟槽隔离区域中形成至所述浅沟槽隔离区域的顶面下方5nm至25nm的深度的第一圆形轮廓，并且其中，用所述各向同性蚀刻工艺蚀刻所述浅沟槽隔离区域在所述浅沟槽隔离区域中形成至所述浅沟槽隔离区域的顶面下方5nm至25nm的深度的第二圆形轮廓，并且在所述浅沟槽隔离区域中形成从所述第二圆形轮廓延伸至所述浅沟槽隔离区域的顶面下方10nm至30nm的深度的第三圆形轮廓。

9.一种形成半导体器件的方法，包括：

在半导体鳍上方形成栅极堆叠件，所述半导体鳍从半导体衬底延伸；

各向异性蚀刻所述半导体鳍以形成第一凹槽；以及

使用无等离子体的干蚀刻工艺各向同性蚀刻所述半导体鳍，以从所述半导体鳍去除氧化物。

10.一种半导体器件，包括：

浅沟槽隔离(STI)区域，位于半导体衬底上方；

栅电极，位于所述浅沟槽隔离区域上方；以及

第一电介质，位于所述浅沟槽隔离区域上方并且围绕所述栅电极，所述第一电介质具有在所述浅沟槽隔离区域的顶面下方延伸5nm至25nm的第一距离的第一圆形轮廓，所述第一电介质具有从位于所述浅沟槽隔离区域的顶面下方的所述第一圆形轮廓延伸10nm至30nm的第二距离的第二圆形轮廓。