[发明专利]集成电路器件及其形成方法

权利要求书

1.一种集成电路器件，包括：

半导体衬底；

金属互连结构，位于所述半导体衬底上方并且包括多个金属互连层；

器件结构的阵列，设置在所述多个金属互连结构的两个金属互连层之间，其中，每个所述器件结构包括顶部电极；

疏水电介质，填充所述器件结构之间的间隙；

层间电介质，设置在所述疏水电介质之上；以及

亲水电介质的界面层，设置在所述层间电介质和所述疏水电介质之间；以及

顶部电极通孔，将所述顶部电极连接至所述两个金属互连层的上部内的导体；

其中，每个所述顶部电极通孔从相应的顶部电极上升，并且依次穿过所述疏水电介质、所述界面层和所述层间电介质。

2.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述顶部电极通孔在到达所述疏水电介质之前穿过蚀刻停止层上升。

3.根据权利要求2所述的集成电路器件，其中，所述界面层的厚度小于或等于所述蚀刻停止层的厚度。

4.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述界面层的晶圆接触角(WCA)介于所述疏水电介质的晶圆接触角和所述层间电介质的晶圆接触角之间。

5.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，

所述疏水电介质的上表面具有高区域和低区域；并且

所述界面层的上表面具有相应的高区域和低区域。

6.一种集成电路器件，包括：

半导体衬底，包括第一区域和第二区域；

疏水电介质，位于所述半导体衬底之上，其中，所述疏水电介质具有在所述第一区域和所述第二区域上方延伸的上表面；

界面层，位于所述疏水电介质上方，所述界面层具有亲水上表面，所述亲水上表面在所述第一区域中的所述半导体衬底上方的最大高度大于在所述第二区域中的所述半导体衬底上方的最大高度；以及

层间电介质，粘附至所述亲水上表面。

7.根据权利要求6所述的集成电路器件，其中，所述疏水电介质填充器件结构之间的间隙。

8.根据权利要求7所述的集成电路器件，其中，所述疏水电介质在所述器件结构上方延伸。

9.根据权利要求8所述的集成电路器件，其中，所述疏水电介质包括碳氧化硅(SiOC)。

10.一种形成集成电路器件的方法，包括：

接收包括第一区域和第二区域的半导体衬底；

通过第一可流动化学气相沉积工艺在所述半导体衬底之上形成疏水电介质；

在所述疏水电介质上形成界面层，所述界面层具有亲水上表面；以及

在所述亲水上表面上形成层间电介质；

其中，所述亲水上表面在所述第一区域和所述第二区域上方延伸；并且

所述亲水上表面在所述第一区域中的所述半导体衬底上方的最大高度大于在所述第二区域中的所述半导体衬底上方的最大高度。