[发明专利]晶圆级嵌入式硅片晶圆支撑扇出封装结构及封装工艺

权利要求书

1.种晶圆级嵌入式硅片晶圆支撑扇出封装结构，包括芯片，所述芯片正面设有第一压区和第二压区，其特征在于：所述芯片背面贴合有绝缘介质胶膜，在绝缘介质胶膜外粘合有支撑硅层。

2.根据权利要求1所述的晶圆级嵌入式硅片晶圆支撑扇出封装结构，其特征在于：所述芯片正面形成金属走线层、薄膜介质层、金属电极和焊球凸点，芯片背面通过绝缘介质胶膜完全包裹。

3.根据权利要求2所述的晶圆级嵌入式硅片晶圆支撑扇出封装结构，其特征在于：所述第一压区和第二压区上设有正极和负极，正极和负极分别通过金属走线层连接，两个金属走线层分别与焊球凸点连接，金属走线层和正负极通过薄膜介质层支撑。

4.根据权利要求3所述的晶圆级嵌入式硅片晶圆支撑扇出封装结构，其特征在于：所述支撑层厚度为0-40mm。

5.根据权利要求2所述的晶圆级嵌入式硅片晶圆支撑扇出封装结构，其特征在于：所述绝缘介质胶膜包括底部和侧面，芯片位于底部和侧面形成的凹槽内，底部的厚度为0-20mm。

6.根据权利要求3所述的晶圆级嵌入式硅片晶圆支撑扇出封装结构，其特征在于：所述支撑层外设有金属层，金属层外设有背胶层。

7.一种如权利要求2所述的晶圆级嵌入式硅片晶圆支撑扇出封装结构的封装工艺，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一：将来料晶圆磨片至指定厚度；

步骤二：将磨到指定厚度的来料圆片沿着划片槽切割成单颗；

步骤三：在载片圆片上贴上临时键合膜，并使用倒装设备，将来料晶圆上的芯片逐个倒装在载体圆片上；

步骤四：在载体圆片使用压膜机将绝缘介质胶膜压合在倒装后的芯片上，形成重构晶圆；

步骤五：在重构晶圆上设置用于给整个结构提供机械支撑的支撑晶圆；

步骤六：将载片圆片和临时键合膜从重构晶圆上剥离；

步骤七：重构晶圆的芯片上涂上光刻胶，采用掩膜版进行光刻或激光工艺，开出图形开口，形成再钝化层；

步骤八：再次涂上光阻层，采用掩膜版进行光刻或激光工艺，开出金属层图形开口

步骤九：在金属层图形开口内电镀，形成再布线金属层或者金属电极；

重复步骤七和八实现多层金属结构，直至形成最终的金属电极作为输入输出；

步骤十：将重构晶圆背面磨片至指定的厚度；

步骤十二：将重构晶圆通过溅射或蒸镀长出金属层；

步骤十三：完成金属层后，通过旋涂或贴膜的方式将背胶包覆在金属层表面；

步骤十四：对磨片完成后的重构晶圆进行单片切割。

8.根据权利要求7所述的晶圆级嵌入式硅片晶圆支撑扇出封装结构的封装工艺，其特征在于，所述步骤十之前在金属电极上做焊球凸点并回流。

9.根据权利要求7所述的晶圆级嵌入式硅片晶圆支撑扇出封装结构的封装工艺，其特征在于，所述步骤三中将至少两颗芯片倒装在载体圆片上。