[发明专利]半导体封装件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体封装件，包括：

衬底；

第一介电层，位于所述衬底上方；

第一接合焊盘和第二接合焊盘，设置在所述第一介电层上方，所述第一接合焊盘具有面向所述第二接合焊盘的第一侧壁；

第二介电层，位于所述第一接合焊盘、所述第二接合焊盘和所述第一介电层上方；以及

开口，位于所述第二介电层中，其中，在顶视图中，所述开口包括：

第一区域，位于所述第一接合焊盘的第一部分上方并且暴露所述第一接合焊盘的第一部分；

第二区域，位于所述第二接合焊盘的第二部分上方并且暴露所述第二接合焊盘的第二部分；以及

第三区域，位于所述第一区域和所述第二区域之间，所述第三区域暴露所述第一介电层的部分，其中，沿平行于所述第一接合焊盘的所述第一侧壁的第一方向测量的所述第三区域的第三长度大于沿所述第一方向测量的所述第一区域的第一长度，其中，所述第一接合焊盘的所述第一侧壁的第一部分由所述开口暴露，并且所述第一侧壁的第二部分由所述第二介电层覆盖。

2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第三长度大于沿所述第一方向测量的所述第二区域的第二长度。

3.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，在顶视图中，所述开口的所述第一区域具有与所述第一接合焊盘的所述第一侧壁相交的第一边缘，并且所述第一侧壁的所述第一部分和所述第二部分设置在所述第一边缘的相对侧上，其中，所述开口的所述第三区域具有与所述第一区域的所述第一边缘相交的第二边缘，其中，所述第一边缘和所述第二边缘之间的角大于90度。

4.根据权利要求3所述的半导体封装件，其中，在顶视图中，所述开口的所述第一区域还具有与所述第一边缘不同的第三边缘，所述第三边缘与所述第一接合焊盘的所述第一侧壁相交，其中，所述开口的所述第三区域还具有与所述第三边缘相交的第四边缘，其中，所述第三边缘和所述第四边缘之间的角大于90度。

5.根据权利要求3所述的半导体封装件，其中，在顶视图中，所述开口的所述第一区域还具有与所述第一边缘不同的第三边缘，所述第三边缘与所述第一接合焊盘的所述第一侧壁相交，其中，所述开口的所述第三区域还具有与所述第三边缘相交的第四边缘，其中，所述第三边缘垂直于所述第四边缘。

6.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，在顶视图中，所述开口的所述第一区域具有与所述第一接合焊盘的所述第一侧壁相交的第一边缘，并且所述第一侧壁的所述第一部分和所述第二部分设置在所述第一边缘的相对侧上，其中，所述开口的所述第三区域具有与所述第一区域的所述第一边缘相交的第二边缘，其中，所述第一边缘垂直于所述第二边缘。

7.根据权利要求6所述的半导体封装件，其中，所述开口的所述第三区域包括第一矩形区域、第二矩形区域以及位于所述第一矩形区域和所述第二矩形区域之间的第三矩形区域，其中，所述第三矩形区域的第三宽度大于所述第一矩形区域的第一宽度和所述第二矩形区域的第二宽度，其中，沿垂直于所述第一方向的第二方向测量所述第一宽度、所述第二宽度和所述第三宽度。

8.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第一侧壁的第三部分由所述第二介电层覆盖，其中，所述第一侧壁的所述第一部分设置在所述第一侧壁的所述第二部分和所述第一侧壁的第三部分之间。