[发明专利]磁阻效应元件

权利要求书

1.一种磁阻效应元件，其特征在于，

具备层叠体，所述层叠体按顺序层叠有：

基底层、

第一铁磁性金属层、

隧道势垒层、以及

第二铁磁性金属层，

所述基底层由VN、TiN或它们的混晶构成，

所述隧道势垒层具有阳离子排列不规则的尖晶石结构，

所述隧道势垒层具有：

晶格匹配部，其与所述第一铁磁性金属层和所述第二铁磁性金属层这两者晶格匹配；和

晶格不匹配部，其与所述第一铁磁性金属层和所述第二铁磁性金属层的至少一者晶格不匹配，

所述隧道势垒层中的所述晶格匹配部相对于所述隧道势垒层整体的体积的体积比为70～95％，

将所述隧道势垒层与所述第一铁磁性金属层及所述第二铁磁性金属层的界面的截面TEM图像以层叠方向观察时，所述晶格匹配部为，晶格线中，将所述隧道势垒层与所述第一铁磁性金属层及所述第二铁磁性金属层这两者连续地连接的部分；所述晶格不匹配部为，晶格线中，将所述隧道势垒层与所述第一铁磁性金属层及所述第二铁磁性金属层中的至少一者不连续地连接的部分，或者，未检测到晶格线的部分。

2.根据权利要求1所述的磁阻效应元件，其特征在于，

所述隧道势垒层的所述晶格匹配部平行于膜面方向的大小为30nm以下。

3.根据权利要求1所述的磁阻效应元件，其特征在于，

所述隧道势垒层以立方晶为基本结构。

4.根据权利要求2所述的磁阻效应元件，其特征在于，

所述隧道势垒层以立方晶为基本结构。

5.根据权利要求1所述的磁阻效应元件，其特征在于，

所述第二铁磁性金属层的矫顽力比所述第一铁磁性金属层的矫顽力大。

6.根据权利要求2所述的磁阻效应元件，其特征在于，

所述第二铁磁性金属层的矫顽力比所述第一铁磁性金属层的矫顽力大。

7.根据权利要求3所述的磁阻效应元件，其特征在于，

所述第二铁磁性金属层的矫顽力比所述第一铁磁性金属层的矫顽力大。

8.根据权利要求4所述的磁阻效应元件，其特征在于，

所述第二铁磁性金属层的矫顽力比所述第一铁磁性金属层的矫顽力大。

9.根据权利要求1所述的磁阻效应元件，其特征在于，

所述第一铁磁性金属层和所述第二铁磁性金属层的至少任一者具有相对于层叠方向垂直的磁各向异性。

10.根据权利要求2所述的磁阻效应元件，其特征在于，

所述第一铁磁性金属层和所述第二铁磁性金属层的至少任一者具有相对于层叠方向垂直的磁各向异性。

11.根据权利要求3所述的磁阻效应元件，其特征在于，

所述第一铁磁性金属层和所述第二铁磁性金属层的至少任一者具有相对于层叠方向垂直的磁各向异性。

12.根据权利要求4所述的磁阻效应元件，其特征在于，

所述第一铁磁性金属层和所述第二铁磁性金属层的至少任一者具有相对于层叠方向垂直的磁各向异性。

13.根据权利要求5所述的磁阻效应元件，其特征在于，

所述第一铁磁性金属层和所述第二铁磁性金属层的至少任一者具有相对于层叠方向垂直的磁各向异性。

14.根据权利要求6所述的磁阻效应元件，其特征在于，

所述第一铁磁性金属层和所述第二铁磁性金属层的至少任一者具有相对于层叠方向垂直的磁各向异性。