[发明专利]集成器件及电池/电池组管理芯片

权利要求书

1.一种集成器件，其特征在于，所述集成器件用于检测和控制电池/电池组的充电电流和放电电流，其中通过第一连接端和第二连接端为所述电池/电池组进行充电和放电，所述集成器件集成有：

充放电MOS晶体管，所述充放电MOS晶体管为一个MOS晶体管，并且串联在所述电池/电池组与所述第一连接端之间的或者所述电池/电池组与第二连接端之间的电流路径上，通过控制充放电MOS晶体管来控制所述充电和放电；以及

电流检测MOS晶体管，所述电流检测MOS晶体管用于检测流过所述充放电MOS晶体管的充电电流和/或放电电流。

2.如权利要求1所述的集成器件，其特征在于，所述充放电MOS晶体管包括栅极、源极、漏极、衬底、第一寄生二极管和第二寄生二极管，其中所述第一寄生二极管和第二寄生二极管反向串联，所述第一寄生二极管和第二寄生二极管的串联电路的一端连接所述源极，并且所述串联电路的另一端连接所述漏极，所述第一寄生二极管和第二寄生二极管的连接点与所述衬底连接。

3.如权利要求2所述的集成器件，其特征在于，还包括开关，所述开关的一端与所述连接点连接，所述开关的另一端与所述源极连接，所述充放电MOS晶体管导通且所述开关导通从而所述源极与所述衬底连通，所述充放电MOS晶体管断开且所述开关断开从而所述源极与所述衬底断开，所述衬底处于浮空状态。

4.如权利要求3所述的集成器件，其特征在于，所述充放电MOS晶体管导通且所述开关导通从而所述源极与所述衬底连通时，所述充放电MOS晶体管的导电沟道形成，所述充放电MOS晶体管断开且所述开关断开从而所述源极与所述衬底断开时，所述充放电MOS晶体管的导电沟道不形成并且所述衬底处于浮空状态。

5.如权利要求4所述的集成器件，其特征在于，所述第一寄生二极管和第二寄生二极管的串联电路设置成，在所述源极和所述漏极之间不会通过所述串联电路形成导电通路。

6.如权利要求5所述的集成器件，其特征在于，

所述充放电MOS晶体管为NMOS晶体管，当所述栅极与所述源极之间的栅源电压大于所述充放电MOS晶体管的导通阈值电压时所述充放电MOS晶体管导通，当所述栅源电压小于所述导通阈值电压时所述充放电MOS晶体管断开；或者，

所述充放电MOS晶体管为PMOS晶体管，当所述栅极与所述源极之间的栅源电压小于所述充放电MOS晶体管的导通阈值电压时所述充放电MOS晶体管导通，当所述栅源电压大于所述导通阈值电压时所述充放电MOS晶体管断开。

7.如权利要求6所述的集成器件，其特征在于，

所述充放电MOS晶体管为NMOS晶体管时，所述第一寄生二极管的阳极与所述第二寄生二极管的阳极连接，所述第一寄生二极管的阴极与所述漏极连接，所述第二寄生二极管的阴极与所述源极连接；或者

所述充放电MOS晶体管为PMOS晶体管时，所述第一寄生二极管的阴极与所述第二寄生二极管的阴极连接，所述第一寄生二极管的阳极与所述漏极连接，所述第二寄生二极管的阳极与所述源极连接。

8.如权利要求7所述的集成器件，其特征在于，所述开关为NMOS型和/或PMOS型晶体管开关，所述晶体管开关的栅极与所述充放电MOS晶体管的栅极连接，所述晶体管开关的源极与所述连接点连接，所述晶体管开关的漏极与所述充放电MOS晶体管的源极连接。