[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

半导体衬底，其具有正面、所述正面的相反侧的背面和所述正面与所述背面之间的侧面，俯视时为四边形；

正面绝缘膜，其以至少覆盖所述正面的方式形成在所述半导体衬底上；

第一焊盘，其在所述半导体衬底的所述正面侧，配置在沿着所述半导体衬底的一个所述侧面的第一周边部的中央部，且与该第一周边部的两个端角部隔开间隔；

第二焊盘，其配置在所述半导体衬底的与所述第一周边部相对的第二周边部的一个端角部；和

第三焊盘，其配置在所述半导体衬底的所述第二周边部的另一个端角部。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：

所述半导体衬底包括俯视时为长方形的半导体衬底，

所述第一周边部和所述第二周边部包括沿着所述半导体衬底的长边方向的周边部。

3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于：

在所述半导体衬底的所述正面描绘以所述第二周边部的一端角部的顶点为中心，以所述半导体衬底的短边的长度为半径的第一圆弧，和以所述第二周边部的另一端角部的顶点为中心，以所述半导体衬底的短边的长度为半径的第二圆弧时，所述第一焊盘配置在所述第一圆弧和所述第二圆弧的外侧区域。

4.如权利要求3所述的半导体器件，其特征在于：

所述第一圆弧和所述第二圆弧具有在所述半导体衬底上的区域彼此相交的大小，

所述第一焊盘形成为以从所述第一圆弧与所述第二圆弧的交点对所述第一圆弧和所述第二圆弧分别画出的一对切线为两条边的三角形。

5.如权利要求3或4所述的半导体器件，其特征在于：

所述第二焊盘形成为具有与所述第一圆弧相同的中心的扇形。

6.如权利要求3或4所述的半导体器件，其特征在于：

所述第三焊盘形成为具有与所述第二圆弧相同的中心的扇形。

7.如权利要求1～4中任一项所述的半导体器件，其特征在于：

包括形成在所述半导体衬底上的MIS晶体管结构，

所述第一焊盘包括与所述MIS晶体管结构的漏极电连接的漏极焊盘，

所述第二焊盘包括与所述MIS晶体管结构的源极电连接的源极焊盘，

所述第三焊盘包括与所述MIS晶体管结构的栅极电连接的栅极焊盘。

8.如权利要求1～4中任一项所述的半导体器件，其特征在于：

在所述半导体衬底的所述正面侧，作为从所述正面绝缘膜露出的焊盘，仅形成有所述第一焊盘、所述第二焊盘和所述第三焊盘这三个焊盘。

9.如权利要求7所述的半导体器件，其特征在于：

所述半导体衬底包括形成有所述MIS晶体管结构的有源区域，

所述MIS晶体管结构包括形成为在从所述第一周边部向所述第二周边部去的方向上延伸的条状且交替配置的多个源极区域和漏极区域，

所述半导体器件还包括：

第一层间膜，其以覆盖所述源极区域和所述漏极区域的方式形成在所述半导体衬底上；

第一源极配线层，其以覆盖所述有源区域的所述第二周边部侧的大致一半的区域的方式形成在所述第一层间膜上，在所述源极区域的所述第二周边部侧的端部与所述源极区域电连接；和

第一漏极配线层，其以覆盖所述有源区域的所述第一周边部侧的大致一半的区域的方式形成在所述第一层间膜上，在所述漏极区域的所述第一周边部侧的端部与所述漏极区域电连接。