[发明专利]一种高速8/9预分频器电路与其控制方法及包括其的锁相环有效

专利信息
申请号: 202110188179.8 申请日: 2021-02-18
公开(公告)号: CN112953525B 公开(公告)日: 2022-03-11
发明(设计)人: 陈志坚;吴子莹;周长见;李斌 申请(专利权)人: 华南理工大学
主分类号: H03L7/099 分类号: H03L7/099
代理公司: 北京智丞瀚方知识产权代理有限公司 11810 代理人: 任冠举
地址: 510640 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 高速 分频器 电路 与其 控制 方法 包括 锁相环
【权利要求书】:

1.一种高速8/9双模预分频器,包括10个TSPC锁存器L1-L10、1个与非门(G2)、1个或非门(G3)、第一非门(G1)以及第二非门(G4);其特征在于:TSPC锁存器L1、L3、L5、L7及L9为第一类型锁存器,TSPC锁存器L2、L4、L6、L8及L10为第二类型锁存器;

其中,TSPC锁存器L1-L8串联连接且TSPC锁存器L8的输出端Q连接第二非门(G4)后作为所述双模预分频器的输出端;TSPC锁存器L9的输出端Q连接与非门(G2)的一个输入端,与非门(G2)的另一个输入端为模控制输入信号MC,其输出端经过第一非门(G1)连接TSPC锁存器L10的输入端D,或非门(G3)的输出端连接TSPC锁存器L1的输入端D,其两个输入端分别连接TSPC锁存器L10的输出端Q以及TSPC锁存器L9的输入端D;

其中,所有的TSPC锁存器L1-10具有相同的控制时钟信号;

所述第一类型锁存器由6个MOS管组成,包括2个PMOS管和4个NMOS管,PMOS管MP1与PMOS管MP2的源极均接到电源,NMOS管MN2和NMOS管MN4的源极均接地,第一类型锁存器输入时钟CK控制PMOS管MP1、NMOS管MN2和MN3的栅极,第一类型锁存器输入信号D接NMOS管MN1的栅极,PMOS管MP1的漏极与NMOS管MN1的漏极相接,并作为PMOS管MP2、NMOS管MN4的栅极控制信号,NMOS管MN1源极与NMOS管MN2的漏极相接,NMOS管MN3的漏极与PMOS管MP2的漏极相接,并作为输出信号Q,NMOS管MN3源极与NMOS管MN4漏极相接;

所述第二类型锁存器由6个MOS管组成,包括2个NMOS管和4个PMOS管,PMOS管MP3与MP6的源极均接到电源,NMOS管MN5和MN6的源极均接地,第二类型锁存器输入时钟CK控制PMOS管MP3、NMOS管MN5、PMOS管MP5的栅极,第二类型锁存器输入信号D接PMOS管MP4的栅极,PMOS管MP4的漏极与NMOS管MN5的漏极相接,并作为PMOS管MP6、NMOS管MN6的栅极控制信号,PMOS管MP4源极与PMOS管MP3的漏极相接,NMOS管MN6的漏极与PMOS管MP5的漏极相接,并作为输出信号Q,PMOS管MP6源极与PMOS管MP5漏极相接。

2.一种锁相环中的吞脉冲式可编程分频器,其特征在于:包括如权利要求1所述的高速8/9双模预分频器、M计数器、A计数器,其中,M为M计数器的模值,A为A计数器的模值,M和A均为整数。

3.一种如权利要求1所述的高速8/9双模预分频器的控制方法,其特征在于:当所述高速8/9双模预分频器的模控制输入信号MC为低时,与非门(G2)输出为高电平,反相器(G1)输出低电平,第二类型锁存器L10输出也保持为低电平,所述高速8/9双模预分频器的分频比为8,当模控制输入信号MC为高时,第一类型锁存器L9和第二类型L10参与分频作用,使得预分频器分频比为9。

4.如权利要求3所述的控制方法,其特征在于:当电源电压1.2V,输入时钟为600mV正弦波时,所述的高速8/9双模预分频器的工作范围为0.5GHz-14.5GHz,平均电流低于1mA。

5.一种锁相环,其包括如权利要求1所述的高速8/9双模预分频器。

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