[发明专利]一种基板加工方法有效
申请号: | 202110188361.3 | 申请日: | 2021-02-19 |
公开(公告)号: | CN112548845B | 公开(公告)日: | 2021-09-14 |
发明(设计)人: | 刘远航;赵德文;陶红飞;路新春 | 申请(专利权)人: | 清华大学;华海清科股份有限公司 |
主分类号: | B24B37/005 | 分类号: | B24B37/005;B24B37/04;B24B37/10;B24B37/34;B24B7/22;B24B27/00;H01L21/02;H01L21/66 |
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地址: | 100084*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 加工 方法 | ||
1.一种基板加工方法,其特征在于,包括:
磨削目标面形确认步骤,对第一基板的加工面实施抛光并获取第一基板的抛光形貌,将第一基板的抛光形貌反转作为第二基板的磨削目标面形,使得第二基板的加工面经磨削和抛光步骤后变得平坦;获取第一基板的抛光形貌的步骤包括:厚度检测、形貌反转和特征提取;所述厚度检测的步骤为:在抛光过程中实时测量基板的表面膜厚,在基板的抛光面选择多个测量点以测量基板各个位置的厚度分布;所述形貌反转步骤是以基板的边缘所在水平面为基准实施镜像,形貌反转形成的反转形貌为磨削目标面形,所述基板的边缘为基板纵切面的棱边;
磨削步骤,根据磨削目标面形调整用于载置基板的吸盘的姿态以对第二基板实施磨削;
抛光步骤,对磨削后的第二基板实施抛光,所述抛光步骤为化学机械抛光。
2.如权利要求1所述的基板加工方法,其特征在于,所述特征提取步骤为基于反转形貌提取磨削目标面形的饱满度和凸凹度,所述饱满度是指居间测量点与凸凹度线的垂直距离中的最大值,所述凸凹度线是连接起始测量点与最终测量点的直线,所述凸凹度是起始测量点与最终测量点的高度差,所述居间测量点是介于起始测量点与最终测量点之间的测量点。
3.如权利要求2所述的基板加工方法,其特征在于,调整吸盘的姿态是基于磨削目标面形来调整吸盘的倾斜度,以调节吸盘与用于进行磨削操作的磨削工具之间的相对空间位置关系。
4.如权利要求1所述的基板加工方法,其特征在于,抛光后基板的厚度偏差为0.02-5um。
5.如权利要求1所述的基板加工方法,其特征在于,所述抛光步骤中使用的承载头具有至少一个独立控制腔室,基板边缘位置的抛光去除速率大于基板中心位置的抛光去除速率,抛光后的基板呈中凸外凹的形貌,所述磨削目标面形为中凹外凸形状。
6.如权利要求1所述的基板加工方法,其特征在于,所述抛光步骤用于去除或降低磨削步骤中形成的基板损伤。
7.一种控制设备,其特征在于,包括存储器、处理器以及存储在所述存储器中并可在所述处理器上运行的计算机程序,所述处理器执行所述计算机程序时实现如权利要求1至6中任一项所述基板加工方法的步骤。
8.一种计算机可读存储介质,其特征在于,所述计算机可读存储介质存储有计算机程序,所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1至6中任一项所述基板加工方法的步骤。
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