[发明专利]存储装置及其操作方法在审
申请号: | 202110188505.5 | 申请日: | 2021-02-19 |
公开(公告)号: | CN113764011A | 公开(公告)日: | 2021-12-07 |
发明(设计)人: | 刘炳晟 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | G11C8/08 | 分类号: | G11C8/08;G06F13/16 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 刘久亮;黄纶伟 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储 装置 及其 操作方法 | ||
本公开涉及一种存储装置及其操作方法。该存储装置包括:存储器装置,其包括存储正常数据和映射数据的存储器单元阵列;以及存储控制器,其被配置为响应于来自主机的请求而控制存储器装置的包括编程操作、读操作和擦除操作在内的总体操作。存储器装置被配置为在映射数据加载操作期间通过读取存储在存储器单元阵列中的映射数据当中的第一映射数据来将第一映射数据发送到存储控制器,并且通过读取映射数据当中的第二映射数据来将第二映射数据发送到存储器装置的页缓冲器组。
技术领域
本公开涉及电子装置,更具体地,涉及一种存储装置和操作该存储装置的方法。
背景技术
存储装置是在诸如计算机或智能电话的主机装置的控制下存储数据的装置。存储装置可包括存储数据的存储器装置以及控制存储器装置的存储控制器。存储器装置可以是易失性存储器装置或非易失性存储器装置。
易失性存储器装置是只有当供电时才存储数据并且当电源被切断时丢失所存储的数据的装置。易失性存储器装置包括例如静态随机存取存储器(SRAM)、动态随机存取存储器(DRAM)等。
非易失性存储器装置是即使电源被切断也不丢失数据的装置。非易失性存储器装置包括例如只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、闪存等。
发明内容
本公开的实施方式涉及一种能够增加映射数据的加载容量和改进的操作速度的存储装置以及操作该存储装置的方法。
根据本公开的实施方式的存储装置包括:存储器装置,其包括存储正常数据和映射数据的存储器单元阵列;以及存储控制器,其被配置为响应于来自主机的请求而控制存储器装置的包括编程操作、读操作和擦除操作在内的总体操作。存储器装置被配置为在映射数据加载操作期间通过读取存储在存储器单元阵列中的映射数据当中的第一映射数据来将第一映射数据发送到存储控制器,并且通过读取映射数据当中的第二映射数据来将第二映射数据发送到存储器装置的页缓冲器组。
根据本公开的实施方式的操作存储装置的方法包括以下步骤:读取存储在存储器单元阵列的系统块中的映射数据当中的第一映射数据和第二映射数据;将第一映射数据发送到存储控制器,将第一映射数据存储在存储控制器的存储器缓冲器中,并且将第二映射数据存储在页缓冲器组中;以及当页缓冲器组从存储控制器接收到逻辑块地址时,执行搜索与所接收的逻辑块地址对应的搜索映射数据是否被包括在第二映射数据中的映射数据搜索操作。
根据本公开的实施方式的操作存储装置的方法包括以下步骤:在映射数据加载操作期间,将存储在系统块中的映射数据当中的第一映射数据存储在存储控制器中,并且将映射数据当中的第二映射数据存储在存储器装置的页缓冲器组中;在映射数据搜索操作期间,由存储器装置从存储控制器接收逻辑块地址,并且搜索与所接收的逻辑块地址对应的搜索映射数据是否被包括在第二映射数据中;在数据编程操作期间,由存储器装置从存储控制器接收正常数据和所述逻辑块地址,将正常数据存储在存储器单元阵列中,然后将第二映射数据当中的与逻辑块地址对应的映射数据留在页缓冲器组中;以及在映射数据刷新操作期间,将留在页缓冲器组中的映射数据存储在存储器单元阵列中。
附图说明
图1是示出根据本公开的实施方式的存储装置的图。
图2是示出图1的存储器装置的结构的图。
图3是示出图2的存储器单元阵列的实施方式的图。
图4是示出图3的存储块BLK1至BLKz中的存储块BLKa的电路图。
图5是示出图3的存储块BLK1至BLKz中的存储块BLKb的另一实施方式的电路图。
图6是示出根据编程操作的存储器单元阵列的区域划分的图。
图7是示出包括在图2的页缓冲器组中的页缓冲器的图。
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