[发明专利]局部磁场发生器

权利要求书

1.一种用于生成用于跟踪物体的磁场的设备，包括以下：

局部磁场发生器，其被配置为生成磁场并控制感兴趣区域中的所述磁场，并且被配置为控制隔离区域中的所述磁场，其中：

所述隔离区域从所述感兴趣区域位移并包括磁场破坏组件，

所述物体位于所述感兴趣区域中，以及

所述局部磁场发生器是被配置为放置在患者上的移动局部磁场发生器。

2.根据权利要求1所述的设备，其中，所述磁场破坏组件相对于所述局部磁场发生器移动。

3.根据权利要求2所述的设备，其中，所述磁场破坏组件包括与x射线成像装置相关联的x射线源和与所述x射线成像装置相关联的c形臂中至少之一。

4.根据权利要求1所述的设备，其中，所述局部磁场发生器被配置为减小所述隔离区域中的所述磁场的强度。

5.根据权利要求1所述的设备，其中，所述局部磁场发生器被配置为远离所述隔离区域偏转所述磁场。

6.根据权利要求1所述的设备，其中，所述局部磁场发生器包括被配置为生成所述磁场的多个磁发射元件。

7.一种用于生成用于跟踪物体的磁场的设备，包括以下：

手持局部磁场发生器，其中所述手持局部磁场发生器包括：

具有第一侧和第二侧的磁场屏蔽；以及

位于所述磁场屏蔽附近并在所述磁场屏蔽的所述第一侧上的多个磁发射元件，其中所述手持局部磁场发生器被配置为生成磁场并控制感兴趣区域中的所述磁场，并且被配置为控制隔离区域中的所述磁场，其中

所述隔离区域从所述感兴趣区域位移并包括磁场破坏组件，以及

所述物体位于所述感兴趣区域中。

8.根据权利要求7所述的设备，其中，

所述磁场屏蔽形成平面表面；以及

所述多个磁发射元件位于所述平面表面附近并在所述平面表面的第一侧上。

9.根据权利要求8所述的设备，其中，所述磁场屏蔽位于所述多个磁发射元件和所述磁场破坏组件之间。

10.根据权利要求7所述的设备，其中，所述磁场屏蔽包括由从包括导磁材料和导电材料的组中选择的材料形成的材料的平面层。

11.根据权利要求7所述的设备，其中，所述磁场屏蔽包括材料的至少两个平面层，其中，材料的一个层是导磁材料，以及材料的另一层是导电材料。

12.根据权利要求7所述的设备，其中：

所述磁场屏蔽包括围绕所述磁场屏蔽的周边形成的唇部；以及

所述唇部形成在所述磁场屏蔽的与所述多个磁发射元件所位于的相同侧上。

13.根据权利要求12所述的设备，其中，所述唇部大体上从所述磁场屏蔽的所述平面表面垂直地延伸。

14.根据权利要求12所述的设备，其中，所述磁场屏蔽的所述平面表面和所述唇部的顶部之间的长度在所述平面表面与所述多个磁发射元件的顶部之间的距离的0.1至2.0倍的范围内。

15.根据权利要求7所述的设备，其中，所述多个磁发射元件被配置为同步磁发射元件，所述同步磁发射元件被组合在一起并且被配置为用作单个发射元件并以相同频率产生磁场，或者所述同步磁发射元件被组合在一起并且被配置为用作不同的磁发射元件并关于单个发射元件或关于彼此以不同频率产生不同磁场。