[发明专利]衬底处理装置、加热器、存储介质及衬底处理方法在审
申请号: | 202110189926.X | 申请日: | 2015-02-25 |
公开(公告)号: | CN112768385A | 公开(公告)日: | 2021-05-07 |
发明(设计)人: | 村田等;八幡橘;和田优一;山口天和;西堂周平 | 申请(专利权)人: | 株式会社国际电气 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/673;H01L21/02;H01L21/31;H01L21/324;C23C16/34;C23C16/455;C23C16/46 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 杨宏军;李文屿 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 衬底 处理 装置 加热器 存储 介质 方法 | ||
1.一种衬底处理装置,具有:
保持晶片的晶片保持件;
直立的处理容器,对保持于所述晶片保持件的所述晶片进行处理;
盖部,封堵所述处理容器的下方开口;
第一加热器,从所述处理容器外加热所述处理容器内;
隔热部,与所述晶片保持件分别构成,所述隔热部设于所述处理容器内的所述盖部侧;和
第二加热器,以面向至少一个被保持的所述晶片的方式设置于所述隔热部的上方,并加热所述晶片,
所述第二加热器具有:
贯穿所述盖部及隔热部的支柱部;
环状部,其连接于所述支柱部,沿着中心位于所述晶片或所述处理容器的中央的圆周而形成为圆弧形状;
连接部,其将所述环状部连接于所述支柱部;和
设置于所述环状部的内部的发热体,
所述环状部被设置成与被保持在所述晶片保持件的所述晶片平行。
2.根据权利要求1所述的衬底处理装置,其中,在所述支柱部的上端形成有凸出部,所述凸出部具有比所述支柱部的直径更大、且为所述环状部的直径的至少2倍以上的直径。
3.根据权利要求2所述的衬底处理装置,其中,所述连接部构成为:具有与构成所述圆周的圆的直径平行的直线部、和将所述直线部的一端与所述环状部的圆弧形状的端部连接的一对弯曲部,使得所述发热体的发热起点位于所述直线部内。
4.根据权利要求3所述的衬底处理装置,其中,所述连接部具有曲线部,所述曲线部以将所述凸出部的上端与直线部的另一端连接的方式弯曲,从垂直方向向水平方向改变方向。
5.根据权利要求1所述的衬底处理装置,其中,所述发热体是将比以所述环状部的直径形成的圆的圆周长度更长的线材形成为线圈状而构成,在所述支柱部和所述直线部,封入有用于对所述发热体进行供电的一对引线,所述引线的至少一方在所述支柱部内被绝缘管包覆。
6.根据权利要求1所述的衬底处理装置,其中,
以贯穿所述支柱部的方式设置温度检测部,
所述温度检测部在所述环状部的中央向与所述连接部相反的方向的水平方向延伸、连接于所述环状部的外壁。
7.根据权利要求6所述的衬底处理装置,其中,
所述温度检测部具有检测所述第二加热器的温度的第一温度传感器,和
检测所述环状部的中央部分的温度的第二温度传感器。
8.根据权利要求1所述的衬底处理装置,进一步具有:
设置于所述晶片保持件的下方的隔热部;
封堵所述处理容器的下方开口、并在上方载置所述隔热部的盖部;和
基体,其贯穿所述隔热部的中央而设置,所述基体为保持所述晶片保持件的圆筒形状,
所述基体以能够相对于盖部旋转的方式被保持、并且所述第二加热器的支柱部贯穿所述基体的内侧且不能旋转地被固定。
9.根据权利要求1所述的衬底处理装置,进一步具有:
多个第一隔热板,所述第一隔热板形成为与所述晶片相等外径的圆板形状,载置于所述晶片保持件的比所述第二加热器更靠下层;和
多个第二隔热板,其由辐射率小于所述第一隔热板的部件构成,所述第二隔热板被保持于所述隔热部,
所述第一隔热板构成为吸收来自所述第二加热器的辐射热。
10.根据权利要求9所述的衬底处理装置,其中,
所述第二隔热板形成为热容量小于所述第一隔热板的热容量。
11.根据权利要求8所述的衬底处理装置,进一步具有旋转机构,其设置于所述盖部的下方,并经由基体而使所述晶片保持件旋转,
所述旋转机构具有被固定的内轴、和以与所述内轴呈同心圆的方式配置而旋转的外轴,
在所述内轴支承所述第二加热器,在所述外轴支承所述基体。
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