[发明专利]气氛形成装置及上浮搬运方法有效
申请号: | 202110189958.X | 申请日: | 2016-01-27 |
公开(公告)号: | CN113013073B | 公开(公告)日: | 2023-07-25 |
发明(设计)人: | 藤贵洋;清水良 | 申请(专利权)人: | JSW阿克迪纳系统有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L21/268;H01L21/20;H01L21/02;B65G49/06;B23K26/12 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 胡曼 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 气氛 形成 装置 上浮 搬运 方法 | ||
1.一种激光处理装置,其特征在于,具有:
激光照射部,该激光照射部射出激光;
吹出单元,该吹出单元能使被所述激光照射的工件上浮并进行搬运;
下方气体喷出部,该下方气体喷出部位于所述工件的上方,并在所述激光的照射位置处,将第一惰性气体向所述工件喷出;以及
上部壁面部,该上部壁面部位于所述吹出单元和所述工件的上方且位于所述下方气体喷出部的下方及周边,并具有开口部,
所述激光经由所述开口部向所述工件照射,
所述吹出单元具有:在俯视观察时与所述激光的照射区域重叠的第一区域、以及与所述第一区域分开的第二区域,
所述第一区域具有多孔形状,
经由所述第一区域中的细孔向所述工件喷射第二惰性气体。
2.如权利要求1所述的激光处理装置,其特征在于,
在所述吹出单元的所述第二区域形成有用于喷出气体的多个孔。
3.如权利要求1或2所述的激光处理装置,其特征在于,
能通过所述下方气体喷出部和所述上部壁面部形成有由所述第一惰性气体形成的局部的气氛。
4.如权利要求1~3中任一项所述的激光处理装置,其特征在于,
能从所述吹出单元的所述第一区域和所述第二区域分别喷出不同种类的气体。
5.如权利要求1~4中任一项所述的激光处理装置,其特征在于,
从所述吹出单元的所述第二区域喷出空气。
6.如权利要求1~5中任一项所述的激光处理装置,其特征在于,
所述第一惰性气体是氮气。
7.如权利要求1~6中任一项所述的激光处理装置,其特征在于,
所述第二惰性气体是氮气。
8.如权利要求1~7中任一项所述的激光处理装置,其特征在于,
所述激光具有线光束形状,
在与所述线光束形状的长边方向交叉的方向上搬运所述工件。
9.如权利要求1~8中任一项所述的激光处理装置,其特征在于,
从所述下方气体喷出部沿着所述线光束形状线状地喷出所述第一惰性气体。
10.如权利要求1~9中任一项所述的激光处理装置,其特征在于,
所述工件是形成有非晶质半导体膜的玻璃基板。
11.一种激光处理装置,其特征在于,具有:
激光照射部,该激光照射部射出激光;
吹出单元,该吹出单元能通过喷出第一惰性气体而使被所述激光照射的工件上浮并进行搬运;
下方气体喷出部,该下方气体喷出部在所述激光的照射位置处,将第二惰性气体向所述工件喷出;以及
上部壁面部,该上部壁面部位于所述吹出单元和所述工件的上方且位于所述下方气体喷出部的下方,
所述上部壁面部具有开口部,
所述激光经由所述开口部向所述工件照射,
所述第二惰性气体在所述工件与所述上部壁面部之间流动,
所述第一惰性气体和所述第二惰性气体是同一种气体,
能通过所述下方气体喷出部和所述上部壁面部形成有由所述第二惰性气体形成的局部的气氛,
所述第一惰性气体和所述第二惰性气体是氮气。
12.如权利要求11所述的激光处理装置,其特征在于,
所述工件是形成有非晶质半导体膜的玻璃基板。
13.如权利要求11或12所述的激光处理装置,其特征在于,
所述吹出单元具有:在俯视观察时包括所述激光的所述照射位置的第一区域、以及与所述第一区域相邻的第二区域,
所述第一惰性气体从所述第一区域喷出。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造