[发明专利]光半导体器件及光模块在审

专利信息
申请号: 202110189988.0 申请日: 2021-02-18
公开(公告)号: CN113281857A 公开(公告)日: 2021-08-20
发明(设计)人: 佐伯智哉;藤村康;三泽太一 申请(专利权)人: 住友电气工业株式会社
主分类号: G02B6/42 分类号: G02B6/42
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 何立波;张天舒
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体器件 模块
【权利要求书】:

1.一种光半导体器件,其具有:

电介质基板,其具有载体搭载面;

第1配线图案,其设置于所述载体搭载面;

第1基准电位图案,其设置于所述载体搭载面,与所述第1配线图案分离而将所述第1配线图案包围;

载体块,其设置于所述载体搭载面上,具有在与所述载体搭载面交叉的方向延伸的主面、与所述载体搭载面相对的侧面、以及配置于所述主面上、构成共面线路的第2配线图案及第2基准电位图案;以及

光半导体元件,其设置于所述载体块的所述主面上,

所述第2配线图案的一端部在所述主面中至少延伸至所述侧面侧的端缘,经由导电性接合材料而与所述第1配线图案导电接合,

所述第2配线图案的另一端部与所述光半导体元件电连接,

所述第2基准电位图案的一端部在所述主面中至少延伸至所述侧面侧的端缘,经由导电性接合材料而与所述第1基准电位图案导电接合。

2.根据权利要求1所述的光半导体器件,其中,

所述主面中的所述第2基准电位图案的所述一端部和所述第2配线图案的所述一端部之间的第1间隔,大于所述主面中的所述第2基准电位图案的剩余部和所述第2配线图案的剩余部之间的第2间隔。

3.根据权利要求1或2所述的光半导体器件,其中,

所述第2配线图案及所述第2基准电位图案的各一端部从所述主面涉及至所述侧面而延伸。

4.根据权利要求2所述的光半导体器件,其中,

所述第2基准电位图案中的与所述第2配线图案相对的侧缘,在所述主面上的靠近所述侧面的区域具有台阶,

所述第1间隔是位于所述台阶和所述侧面之间的、所述第2基准电位图案和所述第2配线图案之间的间隔,

所述第2间隔是相对于所述台阶而位于与所述侧面相反侧的、所述第2基准电位图案和所述第2配线图案之间的间隔。

5.根据权利要求4所述的光半导体器件,其中,

所述第1间隔大于或等于所述第2间隔的7倍而小于或等于9倍。

6.根据权利要求3所述的光半导体器件,其中,

所述载体块具有第1槽,该第1槽设置于所述侧面上的所述第2基准电位图案和所述第2配线图案之间。

7.根据权利要求6所述的光半导体器件,其中,

所述第1槽在所述侧面中,从所述主面朝向位于与所述主面相反侧的所述载体块的背面而直线状地延伸。

8.根据权利要求6或7所述的光半导体器件,其中,

所述载体块还具有第2槽,该第2槽设置于所述侧面,

所述第2基准电位图案及所述第2配线图案位于隔着所述第2槽的一方的区域。

9.根据权利要求8所述的光半导体器件,其中,

在所述侧面中,所述第1槽从所述主面朝向位于与所述主面相反侧的所述载体块的背面而直线状地延伸,所述第2槽在与所述第1槽交叉的方向直线状地延伸。

10.根据权利要求6至9中任一项所述的光半导体器件,其中,

还具有第3槽,该第3槽设置于所述载体搭载面中的所述第1基准电位图案和所述第1配线图案之间。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的光半导体器件,其中,

所述第2配线图案的所述另一端部延伸至所述光半导体元件的正下方,经由导电性接合材料而与所述光半导体元件的背面电极导电接合。

12.根据权利要求1至11中任一项所述的光半导体器件,其中,

还具有带窗的金属制罩,该带窗的金属制罩设置于所述电介质基板的所述载体搭载面上,将所述载体块及所述光半导体元件覆盖。

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