[发明专利]电容性装置

权利要求书

1.一种电容性装置(10)，包括：

-金属层(20)，所述金属层具有两个主面，所述两个主面分别被称为正面(21)和背面(22)；

-纳米管或纳米线束(40)的网络，所述纳米管或纳米线束的网络从所述正面(21)延伸，并以基本上垂直于所述正面的方式从基部(41)向自由端(42)延伸；

-连续的电容性叠组(50)，所述电容性叠组从所述基部(41)到所述自由端(42)以一致的方式覆盖所述金属层(20)和所述纳米管或纳米线束(40)，所述叠组包括上导电层(51)和隔离层(52)，所述隔离层使所述上导电层(51)与所述每个纳米管束以及所述金属层(20)隔离，

所述装置包括电容性区域(ZC)和下接触区域(ZCI)，

在所述电容性区域(ZC)中，所述上导电层(51)围封所述纳米管或纳米线束(40)和所述隔离层(52)；而在所述下接触区(ZCI)中，所述电容性叠组(50)允许所述自由端暴露，并且所述隔离层(52)围封所述上导电层(51)。

2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述装置包括覆盖所述电容性区域(ZC)的上电极(60)，以便与所述上导电层(51)电接触。

3.根据权利要求1或2所述的装置，其中，所述装置包括覆盖所述下接触区域(ZCI)的下电极(70)，以便在所述下接触区域(ZCI)中电接触所述纳米管或纳米线束(40)的自由端。

4.根据权利要求1到3中任一项所述的装置，其中，所述电容性叠组(50)还包括插入在所述隔离层(52)和所述纳米管或纳米线束(40)之间的下导电层(53)，所述下导电层(53)将所述隔离层(52)围封在所述下接触区域(ZCI)中。

5.根据权利要求3和4所述的装置，其中，所述下电极(70)也与所述下导电层(53)电接触。

6.根据权利要求4或5所述的装置，其中，所述下导电层(53)包括氮化钛。

7.根据权利要求1到6中任一项所述的装置，其中，所述上导电层(51)包括氮化钛。

8.根据权利要求1到7中任一项所述的装置，其中，所述隔离层包括氧化铝。

9.根据权利要求1到8中任一项所述的装置，其中，所述装置还包括插入在所述电容性区域(ZC)和所述下接触区域(ZCI)之间的中性区域(ZN)，并且在所述中性区域中，所述下隔离层(65)被插入在所述金属层(20)和所述纳米管或纳米线束(40)之间。

10.根据权利要求9所述的装置，其中，所述中性区域(ZN)被至少一层(66a，66b)覆盖，所述围封层由绝缘材料制成。

11.根据权利要求10所述的装置，其中，所述至少一层围封层(66a，66b)包括氧化硅层和氮化硅层。

12.根据权利要求1到11中任一项所述的装置，其中，所述纳米管或纳米线束(40)的长度在2μm到40μm之间，并且优选地，所述纳米管或纳米线束(40)的长度在2μm到12μm之间。

13.根据权利要求1到12中任一项所述的装置，其中，所述金属层(20)是厚度在0.5μm到3μm之间的铝层，在所述金属层的所述正面(21)上具有纹理，所述纹理由具有平均深度P和平均横向尺寸D的凹腔的网络形成，所述每个纳米管束从所述凹腔开始延伸。

14.根据权利要求13所述的装置，其中，所述平均横向尺寸D在50nm到500nm之间，有利地，在50nm到300nm之间，并且尤其是，等于150nm。

15.根据权利要求13或14所述的装置，其中，所述平均深度P在10nm到150nm之间。