[发明专利]有机发光显示装置在审
申请号: | 202110190071.2 | 申请日: | 2015-12-30 |
公开(公告)号: | CN113013206A | 公开(公告)日: | 2021-06-22 |
发明(设计)人: | 崔光赫;李清;金炫准;金慧暎;吴相宪;全星庆;曺奎哲 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 刘灿强;薛义丹 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 显示装置 | ||
提供了一种有机发光显示装置,该有机发光显示装置包括:基体;下基底,位于基体之上;第二阻挡层,位于基体与下基底之间,第二阻挡层包括从由氧化硅、氮化硅和氮氧化硅组成的组中选择的至少一种;薄膜晶体管,位于下基底之上,薄膜晶体管包括有源层、栅电极以及源电极和漏电极;有机发光器件,包括第一电极、第二电极以及位于第一电极与第二电极之间的有机发射层,其中,第一电极电连接到源电极和漏电极中的一个;以及像素限定层,位于第一电极上并且包括暴露第一电极的上表面的开口,其中,基体和下基底中的每个包括聚对苯二甲酸乙二酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯或者聚醚砜。
本申请是于2015年12月30日提交的名称为“有机发光显示装置和制造该有机发光显示装置的方法”的专利申请201511019813.6的分案申请。
技术领域
一个或更多个示例实施例涉及一种有机发光显示装置和一种制造该有机发光显示装置的方法。
背景技术
有机发光显示装置是具有有机发光器件的自发射显示装置,有机发光器件包括空穴注入电极、电子注入电极以及形成在空穴注入电极和电子注入电极之间的有机发射层,并且当通过从空穴注入电极注入的空穴和从电子注入电极注入的电子在有机发射层内产生的激子从激发态落到基态时,所述自发射显示装置发射光。
因为有机发光显示装置具有自发射特性,所以它们不需要单独的光源。因此,有机发光显示装置可以在低电压下驱动,可以是轻且薄的,并且具有诸如宽视角、良好的对比度和快的响应时间的高质量特性。因此,这样的装置作为下一代显示装置已经引起了关注。
发明内容
一个或更多个示例实施例包括一种有机发光显示装置和一种制造该有机发光显示装置的方法。
另外的方面将在下面的描述中部分地进行阐述,并且部分地通过该描述将是明显的,或可以通过实施所提出的实施例而获知。
根据一个更多个示例实施例,一种有机发光显示装置包括:下基底;有机发光器件,在下基底上;以及柔性膜,在下基底下方,其中,柔性膜包括:基体;第二阻挡层,设置在基体上以防止湿气和氧的渗透。
第二阻挡层可以包括金属氮化物、金属氧化物、无机材料或者金属薄膜。
第二阻挡层可以包括金属氮化物、金属氧化物、无机材料和金属薄膜中的至少两种,并可以形成为两个或更多个薄膜层。
第二阻挡层可以包括氧化铝(AlOx)、氧化钛(TiOx)、氧化硅(SiOx)、氮化铝(AlNx)、氮氧化铝(AlON)、氮化钛(TiNx)、氮氧化钛(TiONx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiONx)、Al、Ti、钼(Mo)、银(Ag)、铜(Cu)、铁(Fe)、铬(Cr)、镍(Ni)、锌(Zn)或者锡(Sn)。
第二阻挡层可以具有大约100μm或者更小的厚度。
柔性膜可以包括在第二阻挡层上的粘合层。
粘合层可以包括具有防止湿气和氧渗透的功能的永久粘合剂或者临时粘合剂。
有机发光显示装置还可以包括在下基底和有机发光器件之间的第一阻挡层。
第一阻挡层可以包括金属氮化物、金属氧化物、无机材料或者金属薄膜。
第一阻挡层可以包括AlOx、TiOx、SiOx、AlNx、AlON、TiNx、TiONx、SiNx、SiONx、Al、Ti、Mo、Ag、Cu、Fe、Cr、Ni、Zn或Sn。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星显示有限公司,未经三星显示有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110190071.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:可再用的无菌流体联接器
- 下一篇:衣物处理装置的控制方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的