[发明专利]用于部件清洁的方法和设备

说明书

本发明提供了一种用于清洁在基板处理中使用的部件的方法和设备。在用于清洁基板处理的部件的方法中，将从清洁气体产生的等离子体与冷却介质一起供应以清洁部件，但是冷却介质可以以比等离子体更低的温度来提供。

技术领域

在制造半导体器件的过程中，执行各种过程，包括光刻、蚀刻、薄膜沉积、离子注入和清洁等。在这些过程中，使用处理气体的基板处理设备用于蚀刻，薄膜沉积，离子注入和清洁工艺。

背景技术

通常，在从外部密封的基板处理设备中进行干燥处理过程。基板处理设备包括各种部件，包括腔室、基板支撑单元、气体供应单元以及打开和关闭腔室的门等。

在干燥处理过程中或之后，大量的处理气体残留在这些部件中。残留的处理气体在下一个干燥处理过程中充当污染基板的污染物。因此，在多次执行干燥处理过程之后，执行维护工作以清洁每个部件。

维护工作主要分为液体处理过程和等离子体处理过程。液体处理过程包括通过将部件浸入强酸或强碱的化学药品中而进行的清洁过程。液体处理过程不能完全去除副产物，并且存在环境问题，包括废水等。

等离子体处理过程包括将高温气氛中产生的等离子体供应给部件的过程。图1是示出通过常规等离子体处理过程清洁的部件的截面图。参考图1，等离子体处理过程在高于部件熔点的500至1000℃的气氛中进行，因此在该过程中对部件造成热损坏。

发明内容

本公开旨在提供一种用于清洁基板处理设备的部件的设备和方法，其能够改善部件的稳定性。

本公开还旨在提供一种用于清洁基板处理设备的部件的设备和方法，其能够防止部件的热损坏。

本公开的示例性实施方式提供了一种用于清洁在基板处理中使用的设备的部件的方法和设备。

在本发明的实施方式中，用于部件清洁的方法旨在通过向清洁气体产生的等离子体供应制冷剂来清洁部件，但是冷却介质的温度可以设置为低于等离子体的温度。

在本发明的实施方式中，从包括供应构件的部件清洁设备供应等离子体和冷却介质，并且冷却介质引入供应构件的位置可以比清洁气体引入供应构件的位置更靠近供应构件的排出口。

在本发明的实施方式中，冷却介质可以包括液态纯水。

在本发明的实施方式中，冷却介质可以以喷射的形式供应。

在本发明的实施方式中，可以在排出等离子体的同时连续地提供冷却介质。

在本发明的实施方式中，当等离子体的温度超出预设范围时，可以供应冷却介质。

在本发明的实施方式中，部件清洁设备还可包括：气体供应构件，其将清洁气体供应到供应构件中；等离子体源，其从在供应构件中提供的清洁气体产生等离子体；冷却介质供应构件，其将冷却介质供应到供应构件中。

在本发明的实施方式中，供应构件包括：主体部分，在其中形成有第一空间；排出部分，其具有从第一空间延伸的第二空间并排出等离子体；但是排出口可以是设置在排出部分中。

在本发明的实施方式中，可以将清洁气体引入第一空间，并且可以将冷却介质引入第二空间。

在本发明的实施方式中，第二空间可以从第一空间沿竖直方向延伸。

在本发明的实施方式中，部件可以包括陶瓷涂覆的金属。

另外，本发明提供了一种部件清洁设备。在本发明的实施方式中，部件清洁设备包括：供应构件，其供应等离子体；气体供应构件，其将清洁气体供应到供应构件中；等离子体源，其从在供应构件中提供的清洁气体形成等离子体；冷却介质供应构件，其将冷却介质供应到供应构件中，其中冷却介质的温度设置为低于等离子体的温度，并且供应构件可以将等离子体和冷却介质一起排出。