[发明专利]半导体封装结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体封装结构，其包括：

第一衬底，其具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；

第二衬底，其具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，其中所述第二衬底与所述第一衬底并排安置；

衬垫层，其安置在所述第一衬底的所述第二表面和所述第二衬底的所述第二表面上；

导电接合层，其安置在所述衬垫层与所述第一衬底和所述第二衬底的所述第二表面之间。

2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述导电接合层包括焊料、各向异性导电膜、各向异性导电粘附剂或各向异性导电膏。

3.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述导电接合层是金属层或金属间层，或者所述导电接合层包含所述衬垫层的一部分。

4.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述导电接合层与所述衬垫层以及所述第一衬底和所述第二衬底的所述第二表面直接接触。

5.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述第一衬底的所述第一表面和所述第二表面以及所述第二衬底的所述第一表面和所述第二表面包括导电迹线，并且其中所述第一衬底的所述第一表面的线宽和线距L/S小于所述第一衬底的所述第二表面的L/S，并且所述第二衬底的所述第一表面的L/S小于所述第二衬底的所述第二表面的L/S。

6.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述第一衬底经由所述衬垫层和所述导电接合层电连接到所述第二衬底。

7.根据权利要求4所述的半导体封装结构，其中所述衬垫层包括与所述第一衬底和所述第二衬底的底部表面直接接触的衬垫。

8.根据权利要求4所述的半导体封装结构，其中所述衬垫层包括与所述第一衬底的所述底部表面直接接触的第一衬垫以及与所述第一衬底的所述底部表面和所述第二衬底的所述底部表面直接接触的第二衬垫。

9.根据权利要求8所述的半导体封装结构，其中所述半导体封装结构进一步包括导线，并且所述导线电连接所述第一衬垫与所述第二衬垫。

10.根据权利要求8所述的半导体封装结构，其中所述衬垫层进一步包括导电迹线，并且所述第一衬垫和所述第二衬垫经由所述导电迹线电连接到彼此。

11.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其进一步包括包封所述第一衬底、所述第二衬底和所述衬垫层的第一包封物。

12.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其进一步包括安置在所述第一衬底和所述第二衬底的所述第一表面上的RDL结构。

13.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述第一衬底和所述第二衬底是被分割的衬底，并且电连接到彼此以形成具有完整功能的电路。

14.一种半导体封装结构，其包括：

第一衬底，其具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；

第二衬底，其具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，其中所述第二衬底与所述第一衬底并排安置；以及

衬垫层，

其中所述第一衬底的所述第一表面和所述第二表面以及所述第二衬底的所述第一表面和所述第二表面包括导电迹线，所述第一衬底的所述第一表面的线宽和线距L/S小于所述第一衬底的所述第二表面的L/S，并且所述第二衬底的所述第一表面的L/S小于所述第二衬底的所述第二表面的L/S，并且

其中所述衬垫层安置在所述第一衬底的所述第二表面和所述第二衬底的所述第二表面上，并且电连接到所述第一衬底和所述第二衬底。

15.根据权利要求14所述的半导体封装结构，其进一步包括与所述衬垫层、所述第一衬底和所述第二衬底接触的导电接合结构。