[发明专利]一种突触晶体管及其制备方法

权利要求书

1.一种突触晶体管，包括自下而上依次设置的有源层、绝缘层、栅极、易失电子层、感应电极1、易得电子层、感应电极2和基板；

所述有源层为长方体；

所述绝缘层包覆于所述有源层顶面的中部和两个相对侧面的中部；所述栅极包覆于所述绝缘层的表面；

所述有源层顶面的两端未包覆绝缘层的部分分别设有漏电极和源电极；

所述栅极的上表面依次接触设置易失电子层和感应电极1；

所述基板的下表面依次接触设置感应电极2和易得电子层；

所述栅极和基板之间垂直设置有支撑柱，使易得电子层与感应电极1之间形成空隙。

2.根据权利要求1所述的突触晶体管，其特征在于，所述有源层的材质为ZnO、InZnO和InGaN中的至少一种，厚度为10～250nm，宽度为10～400nm，长度为50～600nm。

3.根据权利要求2所述的突触晶体管，其特征在于，所述绝缘层从里到外依次包括阳性聚电解质层、固态电解质层和阴性聚电解质层，所述绝缘层的厚度为30～150nm。

4.根据权利要求3所述的突触晶体管，其特征在于，所述阳性聚电解质层、固态电解质层和阴性聚电解质层的厚度独立地为10～50nm。

5.根据权利要求2所述的突触晶体管，其特征在于，所述易失电子层的材质为聚二甲基硅氧烷、聚氯乙烯、聚酰亚胺和特氟龙中的至少一种，厚度为200nm～20μm。

6.根据权利要求1所述的突触晶体管，其特征在于，所述感应电极1和感应电极2的材质独立地为铜、铝、金、银、钼、钨、镍、铁、锌和铂中的至少一种，厚度独立地为10～200nm。

7.根据权利要求1所述的突触晶体管，其特征在于，所述易得电子层的材质为聚甲基丙烯酸甲酯，厚度为200nm～20μm。

8.根据权利要求1所述的突触晶体管，其特征在于，所述基板的材质为聚对苯二甲酸乙二醇酯或聚酰亚胺。

9.根据权利要求1所述的突触晶体管，其特征在于，所述支撑柱的材质为硼磷硅玻璃、二氧化硅和氮化硅中的至少一种，高度为500nm～50μm。

10.权利要求1～9任意一项所述突触晶体管的制备方法，包括如下步骤：

采用溅射的方法制备图案化的长方体有源层；

在所述有源层顶面的中部和两个相对侧面的中部制备绝缘层；

在所述绝缘层表面采用溅射或热蒸发的方法制备栅极；

在所述有源层的两端采用热蒸发、溅射或光刻刻蚀的方法制备源电极和漏电极；

在所述栅极上采用溅射的方法制备支撑柱；

在所述栅极的上表面采用旋涂的方法制备易失电子层；

在所述易失电子层上采用热蒸发或溅射的方法制备感应电极1；

在基板的下表面采用溅射或蒸镀的方法制备感应电极2；

先在所述感应电极2上采用旋涂的方法制备易得电子层，再将带有感应电极2和易得电子层的基板放置于所述支撑柱上。