[发明专利]晶粒距离调整方法

说明书

本发明提供一种晶粒距离调整方法，包括准备、固定、距离调整及转移等步骤。在固定步骤中，固定装置通过第一负压吸附主要目标区块的周围。在距离调整步骤中，固定装置通过第二负压吸附或通过正压吹拂主要目标区块，主要目标区块受到第二负压的吸引而随着顶推件远离基板且向外撑开或受到正压的吹拂而靠近基板且向外撑开，使得主要目标区块内的多个晶粒的间隔距离扩大至适当距离。在转移步骤中，顶推件推动主要目标区块往靠近基板的方向移动，直至主要目标区块内的多个晶粒转移至基板为止，位于基板上的多个晶粒的间隔距离维持在适当距离。本方案，能够使得主要目标区块内的多个晶粒维持在适当距离，保证最终转移到基板上的晶粒数量与预定数量一致。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种晶粒距离调整方法，特别是一种利用负压固定并且利用负压或正压小范围撑开主要目标区块以调整主要目标区块内的多个晶粒的间隔距离的晶粒距离调整方法。

背景技术

集成电路通过大批方式，经过多道程序，制作在半导体晶圆上，晶圆进一步分割成多个晶粒。换句话说，晶粒是以半导体材料制作而成未经封装的一小块集成电路本体。分割好的多个晶粒整齐贴附在一承载膜上，接着由一承载框负责运送承载膜至一基板的上方，然后通过一顶推件将承载膜的主要目标区块内的多个晶粒批量转移至基板上，能够益于进行后续加工程序。

进一步地说，在晶粒转移以前，将整块承载膜向外拉动以撑开整块承载膜，使得全部晶粒的间隔距离扩大至适当距离。在晶粒转移的过程中，顶推件推动承载膜的主要目标区块往靠近基板的方向移动，直至承载膜的主要目标区块内的多个晶粒转移至基板为止。

然而，整块承载膜撑开一段时间以后，承载膜的内聚力会让整块承载膜向内回弹收缩，导致全部晶粒的间隔距离变小。一旦发生上述状况，主要目标区块的面积将会变小，导致顶推件涵盖到其他目标区块的部分晶粒，从而顶推件在将主要目标区块内的多个晶粒转移到基板的过程中，也会将其他目标区块的部分晶粒一起转移到基板，使得转移到基板上的晶粒数量超过预定数量，进而影响到后续加工程序。

另外，多个其他目标区块和主要目标区块太过靠近，导致其他目标区块内的多个晶粒和主要目标区块内的多个晶粒容易发生互相碰撞而受损的问题。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种晶粒距离调整方法，能够让承载膜的主要目标区块一直保持在撑开状态，承载膜的主要目标区块内的多个晶粒始终维持在适当距离，使得最终转移到基板上的晶粒数量与预定数量一致，不影响后续加工程序。

本发明的另一目的在于提供一种晶粒距离调整方法，顶推件能够更为顺利地推动承载膜的主要目标区块往基板的方向移动，不会受到负压或正压的影响。

为了达成前述的目的，本发明提供一种晶粒距离调整方法，包括下列步骤：

准备步骤：一承载膜的一第一表面朝向一固定装置及一顶推件，承载膜的一第二表面朝向一基板并且具有多个晶粒，承载膜依据所述多个晶粒的数量区隔成多个区块，其中一个区块界定为一主要目标区块，其余区块界定为多个其他目标区块，固定装置对准主要目标区块的周围，顶推件对准主要目标区块。

固定步骤：固定装置移动至主要目标区块的周围并且通过一第一负压吸附主要目标区块的周围，顶推件移动至主要目标区块。

距离调整步骤：固定装置通过一第二负压吸附主要目标区块，顶推件往远离基板的方向移动，主要目标区块受到第二负压的吸引而随着顶推件往远离基板的方向移动并且向外撑开，使得主要目标区块内的多个晶粒的间隔距离扩大至一适当距离。

转移步骤：顶推件推动主要目标区块往靠近基板的方向移动，直至主要目标区块内的多个晶粒转移至基板为止，位于基板上的多个晶粒的间隔距离维持在适当距离。