[发明专利]一种半导体集成电路用立式扩散氧化炉

说明书

本发明公开了一种半导体集成电路用立式扩散氧化炉，包括设备架体，所述设备架体内后端设有加热炉体，所述加热炉体底部设有旋开炉门，所述加热炉体底端一侧设有升降炉门直线单元，所述升降炉门直线单元安装在设备架体内，所述升降炉门直线单元靠近加热炉体一侧底端连接有升降炉门，所述升降炉门顶面设有晶圆舟；炉型从传统的卧式变为立式，可以彻底解决因炉管直径大卧式方式存在的炉管晶片放置的截面的温度误差问题，同时实现晶片的进、出炉和出炉后机械手实施晶片插、取片和传片的自动化，是集成电路芯片的基础工艺和设备。

技术领域

本发明涉及氧化炉，特别是涉及一种半导体集成电路用立式扩散氧化炉。

背景技术

氧化炉是半导体领域超大规模集成电路制造专用设备，适用于扩散、氧化、退火等多种工艺，是半导体芯片产线关键设备之一。

半导体领域需求在提高，现有的4-6″卧式多管扩散、氧化炉，而对于8″扩散、氧化炉由于炉管明显扩大，卧式炉管截面明显存在上高下低的温度差很难做到±0.5℃，不具备愈发严苛的温度均匀性的工艺条件，同时卧式大直径的工艺管内部的气体均匀性也不能满足要求。

发明内容

为了克服现有技术的不足，本发明提供一种半导体集成电路用立式扩散氧化炉，能解决现有的4-6″卧式多管扩散、氧化炉，而对于8″扩散、氧化炉由于炉管明显扩大，卧式炉管截面明显存在上高下低的温度差很难做到±0.5℃，不具备愈发严苛的温度均匀性的工艺条件，同时卧式大直径的工艺管内部的气体均匀性也不能满足要求的技术问题。

为解决上述技术问题，本发明提供如下技术方案：一种半导体集成电路用立式扩散氧化炉，包括设备架体，所述设备架体内后端设有加热炉体，所述加热炉体底部设有旋开炉门，所述加热炉体底端一侧设有升降炉门直线单元，所述升降炉门直线单元安装在设备架体内，所述升降炉门直线单元靠近加热炉体一侧底端连接有升降炉门，所述升降炉门顶面设有晶圆舟；

所述升降炉门直线单元达到最低工作位时，所述旋开炉门处于炉门的关闭位置，用于阻止炉口处温度流失，所述旋开炉门临时封堵加热炉体炉口，用于阻止加热炉体内热能流失；

所述升降炉门直线单元达到上限位时，所述晶圆舟位于加热炉体内，所述升降炉门与加热炉体炉口密封连接。

作为本发明的一种优选技术方案，所述设备架体前表面中部设置有操作面板，设备架体内底端设置有进料理片单元，所述进料理片单元顶部相对定位设置片盒，片盒内存放8″晶片。

作为本发明的一种优选技术方案，所述操作面板可单独做成开门结构，方便操作面板方形安装孔上安装操作控制屏。

作为本发明的一种优选技术方案，所述片盒的后表面设置有片盒传输机械手直线单元，所述片盒传输机械手直线单元由升降移动单元和底部的左右移动单元组合而成，所述片盒传输机械手直线单元远离进料理片单元一侧分别设有上片盒储存库与下片盒储存库，所述下片盒储存库位于上片盒储存库底端。

作为本发明的一种优选技术方案，所述片盒传输机械手直线单元能够在上片盒储存库和下片盒储存库一侧移动。

作为本发明的一种优选技术方案，所述片盒传输机械手直线单元支撑安装有片盒传输机械手；片盒传输机械手活动范围大于180度。

作为本发明的一种优选技术方案，所述下片盒储存库远离片盒传输机械手直线单元一侧设有插片机械手直线单元；插片机械手直线单元位于加热炉体一侧底端，所述插片机械手直线单元支撑安装有插片机械手，所述插片机械手活动范围大于180度。

作为本发明的一种优选技术方案，设备架体后表面一侧设有电控箱体，所述电控箱体与升降炉门直线单元相对设置，用于安装本设备的电控器件。

与现有技术相比，本发明能达到的有益效果是：