[发明专利]用于电子装置中的聚合物

权利要求书

1.一种二酐，其具有式I

其中：

Y选自由以下组成的组：烷基、甲硅烷基、酯、硅氧烷、低聚硅氧烷、聚硅氧烷、O、S、SO₂、BR³、NR³、P(O)R³、未取代或取代的碳环芳基、和未取代或取代的杂芳基、及其氘代类似物；

R¹-R²在每次出现时是相同或不同的，并且选自由以下组成的组：F、CN、氘、烷基、氟烷基、未取代或取代的碳环芳基、未取代或取代的杂芳基、烷氧基、氟烷氧基、未取代或取代的芳氧基、甲硅烷基、和甲硅烷氧基、及其氘代类似物；

R³选自由以下组成的组：烷基和未取代或取代的碳环芳基及其氘代类似物；并且

a和b是相同或不同的并且是0-5的整数。

2.一种二胺，其具有式IV或式VII

其中：

Ar²、Ar³和Ar⁴是相同或不同的并且选自由以下组成的组：碳环芳基、杂芳基、和其取代的衍生物、及其氘代类似物；

Q¹选自由以下组成的组：单键、烷基、甲硅烷基、酯、硅氧烷、低聚硅氧烷、聚硅氧烷、O、S、SO₂、BR³、NR³、P(O)R³、未取代或取代的碳环芳基、和未取代或取代的杂芳基、及其氘代类似物；

R¹和R²在每次出现时是相同或不同的，并且选自由以下组成的组：F、CN、氘、烷基、氟烷基、未取代或取代的碳环芳基、未取代或取代的杂芳基、烷氧基、氟烷氧基、未取代或取代的芳氧基、甲硅烷基、甲硅烷氧基、及其氘代类似物；

R³选自由以下组成的组：烷基和未取代或取代的碳环芳基及其氘代类似物；并且

a和b是相同或不同的并且是0-5的整数；并且

c是0或1。

3.一种聚酰胺酸，其具有式II的重复单元结构

其中：

R^a在每次出现时是相同或不同的，并且表示一个或多个四羧酸组分残基；并且

R^b在每次出现时是相同或不同的，并且表示一个或多个芳香族二胺残基；

其中0.001-100mol％的R^a是来自一种或多种根据权利要求1所述的具有式I的二酐的残基。

4.一种聚酰胺酸，其具有式V或式VIII的重复单元结构

其中：

R^a1在每次出现时是相同或不同的，并且表示一个或多个四羧酸组分残基；并且

R^a2在每次出现时是相同或不同的，并且表示一个或多个四羧酸组分残基；

R^b1在每次出现时是相同或不同的，并且表示一个或多个芳香族二胺残基；并且

R^b2在每次出现时是相同或不同的，并且表示一个或多个芳香族二胺残基；

其中0.001-100mol％的R^b1是来自一种或多种根据权利要求2所述的具有式IV的二胺的二胺残基；并且

其中0.001-100mol％的R^b2是来自一种或多种根据权利要求2所述的具有式VII的二胺的二胺残基。

5.一种聚酰亚胺，其具有式III的重复单元结构

其中

R^a在每次出现时是相同或不同的，并且表示一个或多个四羧酸组分残基；并且

R^b在每次出现时是相同或不同的，并且表示一个或多个芳香族二胺残基；

其中0.001-100mol％的R^a是来自一种或多种根据权利要求1所述的具有式I的二酐的残基。