[发明专利]一种构建存储单元物理模型和获取单粒子翻转截面的方法

说明书

本发明公开了一种构建存储单元物理模型和获取单粒子翻转截面的方法，其包括：包括获取模板存储器和待测存储器的等比例放缩系数K，其中所述待测存储器和所述模板存储器均严格遵循等比例放缩原则；根据所述模板存储器的参数和所述等比例放缩系数K确定所述待测存储器的待测存储单元的建模参数，其中所述待测存储单元为所述待测存储器中的其中一个存储单元；根据所述待测存储单元的建模参数构建所述待测存储单元的物理结构模型。本专利提出的方案简单易操作、时间短且不会对器件造成不可逆的损伤。

技术领域

本发明涉及存储器的单粒子翻转测试方法，尤其是涉及一种构建存储单元物理模型和获取单粒子翻转截面的方法。

背景技术

在航空航天任务中，空间内存在大量的辐射粒子和宇宙射线，该辐射粒子和宇宙射线使存储器内生成大量的电子空穴对，电子空穴对不断积累会导致存储器内存储单元电位状态发生跳变。因此，对存储器进行计算机仿真模拟具有重大意义，它不仅可以评估存储器在空间辐照环境中的可靠性,也能够对存储器的损伤机制进行研究,从而对存储器的制造工艺提出抗辐照性能加固意见，以保证航天任务安全执行。

对存储器进行计算机仿真模拟至少需要获取两类数据：第一类：构建存储单元物理几何结构模型；第二类：该敏感体体积内的单粒子翻转临界电荷或临界能量。

目前获取第一类数据的方法多是对存储器进行纵切，利用X射线衍射(XRD)的物相分析手段确定存储器材料成分；利用扫描电子显微镜(SEM)和光学显微镜(OM)等形貌分析方法观察材料几何形状。该方法耗时长且会对存储器造成不可逆的损伤,因而不适用于新型存储器和昂贵存储器。

发明内容

(一)发明目的

本发明的目的是提供一种构建存储单元物理模型和获取单粒子翻转截面的方法，以解决对存储器造成不可逆损伤的技术问题。

(二)技术方案

为解决上述问题，本发明提供了一种构建存储单元物理模型的方法，该方法包括获取模板存储器和待测存储器的等比例放缩系数K，其中所述待测存储器和所述模板存储器均严格遵循等比例放缩原则；

根据所述模板存储器的参数和所述等比例放缩系数K确定所述待测存储器的待测存储单元的建模参数，其中所述待测存储单元为所述待测存储器中的其中一个存储单元；

根据所述待测存储单元的建模参数构建所述待测存储单元的物理结构模型。

在其他一些实施方式中，所述获取模板存储器和待测存储器的等比例放缩系数K包括：获取所述待测存储器的尺寸f_s1；获取与所述待测存储器的尺寸f_s1相对应的所述模板存储器的尺寸f_s0；则所述等比例放缩系数K的计算公式为：

K＝f_s0/f_s1。

在其他一些实施方式中，所述获取与所述待测存储器的尺寸f_s1相对应的所述模板存储器的尺寸f_s0包括：获取所述模板存储器的面积、所述模板存储器的长、所述模板存储器的高和所述模板存储器的体积的一种或多种。所述获取所述待测存储器的尺寸f_s1包括：获取所述待测存储器的面积、所述待测存储器的长、所述待测存储器的高和所述待测存储器的体积的一种或多种。

在其他一些实施方式中，所述获取所述待测存储器的尺寸f_s1包括：

获取所述待测存储单元的沟道长度、所述待测存储单元的长或所述待测存储单元的宽。所述获取与所述待测存储器的尺寸f_s1相对应的所述模板存储器的尺寸f_s0包括：获取所述模板存储器的模板存储单元的沟道长度、所述模板存储单元的长或所述模板存储单元的宽；其中所述模板存储单元为所述模板存储器的其中一个存储单元。