[发明专利]表面温度场信息获取方法有效
申请号: | 202110195899.7 | 申请日: | 2021-02-22 |
公开(公告)号: | CN113029348B | 公开(公告)日: | 2022-08-02 |
发明(设计)人: | 黄钦文;恩云飞;付志伟;邵伟恒;董显山;来萍;王蕴辉 | 申请(专利权)人: | 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室)) |
主分类号: | G01J5/48 | 分类号: | G01J5/48;G01J5/02;G01J5/80 |
代理公司: | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 郭凤杰 |
地址: | 511300 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 表面 温度场 信息 获取 方法 | ||
1.一种表面温度场信息获取方法,其特征在于,包括:
将待测样品安装于实际应用环境中,测试获取所述待测样品在实际应用环境中的第一频率漂移特性曲线;
将所述待测样品固定于红外成像设备上,测试获取所述待测样品在所述红外成像设备上的第二频率漂移特性曲线;
根据所述第一频率漂移特性曲线获取所述待测样品在第一功率下所对应的第一频率漂移;
根据所述第二频率漂移特性曲线获取所述待测样品的第一频率漂移所对应的第二功率;
对固定于所述红外成像设备上的所述待测样品施加第二功率,利用所述红外成像设备获取所述待测样品的表面温度场信息,其中,所述第一频率漂移特性曲线和第二频率漂移特性曲线均为与频率漂移和功率负载相关的特性曲线。
2.根据权利要求1所述的表面温度场信息获取方法,其特征在于,所述将待测样品安装于实际应用环境中,测试获取所述待测样品在实际应用环境中的第一频率漂移特性曲线,包括:
将所述待测样品安装于实际应用时的电路板上,并对所述待测样品的输入负载与输出信号进行监测;
在所述待测样品上施加初始功率负载,测试所述待测样品的特征频率;
从小至大向所述待测样品施加不同的功率负载,测试所述待测样品在不同功率负载下的特征频率;
计算所述待测样品在不同功率负载下特征频率相对于初始功率负载下特征频率的频率漂移,并获取第一频率漂移特性曲线。
3.根据权利要求2所述的表面温度场信息获取方法,其特征在于,所述待测样品施加不少于三个不同数值的功率负载。
4.根据权利要求2所述的表面温度场信息获取方法,其特征在于,向所述待测样品施加的功率负载的值大于20dBm。
5.根据权利要求2所述的表面温度场信息获取方法,其特征在于,在从小至大向所述待测样品施加不同的功率负载后,所述方法还包括:
对所述待测样品的输出信号进行监测,并判断所述待测样品是否失效。
6.根据权利要求1或2所述的表面温度场信息获取方法,其特征在于,所述测试获取所述待测样品在所述红外成像设备上的第二频率漂移特性曲线,包括:
将所述待测样品固定于所述红外成像设备上,并对所述待测样品的输入负载与输出信号进行监测;
在所述待测样品上施加初始功率负载,测试所述待测样品的特征频率;
从小至大向所述待测样品施加不同的功率负载,测试所述待测样品在不同功率负载下的特征频率;
计算所述待测样品在不同功率负载下特征频率相对于初始功率负载下特征频率的频率漂移,并获取第二频率漂移特性曲线。
7.根据权利要求1所述的表面温度场信息获取方法,其特征在于,在将所述待测样品固定于所述红外成像设备上,并对所述待测样品的输入负载与输出信号进行监测后,所述方法还包括:
将所述红外成像设备加热至预设温度,对所述待测样品的表面材料的热发射率进行校准。
8.根据权利要求1所述的表面温度场信息获取方法,其特征在于,在对固定于所述红外成像设备上的所述待测样品施加第二功率,利用所述红外成像设备获取所述待测样品的表面温度场信息后,所述方法还包括:
根据所述表明温度场信息获取所述待测样品的关键特征信息。
9.根据权利要求8所述的表面温度场信息获取方法,其特征在于,所述关键特征信息包括所述待测样品的表面上各点的温度值、所述待测样品的表面上的最高温度、所述待测样品的表面上的平均温度以及所述待测样品的表面上的温度梯度信息。
10.根据权利要求1所述的表面温度场信息获取方法,其特征在于,在将所述待测样品固定于红外成像设备上时,通过导热胶将所述待测样品固定于所述红外成像设备的加热台面上的固定位置处。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室)),未经中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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