[发明专利]三维存储器件及其制造方法

权利要求书

1.一种三维存储器件，其特征在于，包括：

存储芯片，包括：

第一衬底；

堆叠结构，设置于所述第一衬底上，包括在垂直于所述堆叠结构的堆叠方向的第一方向上依次设置的：第一存储阵列结构、阶梯结构以及第二存储阵列结构，所述阶梯结构与所述第一存储阵列结构和所述第二存储阵列结构电连接；

贯穿阵列触点结构，设置于所述第一存储阵列结构和所述第二存储阵列结构之间并沿所述堆叠方向贯穿所述堆叠结构；

互连层，设置于所述堆叠结构上，所述互连层通过所述贯穿阵列触点与所述衬底电连接；以及

第一键合层，设置于所述互连层上；以及

外围芯片，设置于所述存储芯片上，与所述第一键合层键合，并通过所述第一键合层、所述互连层以及所述贯穿阵列触点结构而与所述第一衬底电连接。

2.根据权利要求1所述的三维存储器件，其中，所述阶梯结构包括：沿所述第一方向相对设置的第一阶梯区域和第二阶梯区域，所述阶梯结构的位于所述第一阶梯区域中的台阶与所述第一存储阵列结构电连接，并且所述阶梯结构的位于所述第二阶梯区域中的台阶与所述第二存储阵列结构电连接。

3.根据权利要求1所述的三维存储器件，其中，所述堆叠结构还包括：

桥接结构，沿所述第一方向延伸并连接所述第一存储阵列结构和所述第二存储阵列结构，所述桥接结构在垂直于所述堆叠方向和所述第一方向的第二方向上与所述阶梯结构并列地设置，

其中，所述阶梯结构中的至少一个台阶通过所述桥接结构电连接至所述第一存储阵列结构和所述第二存储阵列结构。

4.根据权利要求3所述的三维存储器件，其中，所述阶梯结构包括：沿所述第一方向相对设置的第一阶梯区域和第二阶梯区域，所述阶梯结构位于所述第一阶梯区域中的台阶与所述阶梯结构位于所述第二阶梯区域中的台阶位于沿所述堆叠方向的不同高度处。

5.根据权利要求2或4所述的三维存储器件，其中，所述贯穿阵列触点结构设置于所述第一阶梯区域和所述第二阶梯区域之间。

6.根据权利要求2至4中任一项所述的三维存储器件，其中，所述贯穿阵列触点结构在垂直于所述堆叠方向和所述第一方向的第二方向上与所述阶梯结构并列地设置。

7.根据权利要求4所述的三维存储器件，其中，所述阶梯结构包括至少一对在所述第一方向上彼此面对的阶梯，所述一对阶梯彼此包括数量相同的所述台阶。

8.根据权利要求1所述的三维存储器件，其中，所述外围芯片包括：

第二键合层，设置于所述第一键合层上并与所述第一键合层键合；

外围电路，设置于所述第二键合层上，通过所述第二键合层与所述第一键合层电连接；以及

第二衬底，设置于所述外围电路上。

9.一种用于制造三维存储器件的方法，其特征在于，包括：

形成存储芯片，包括：

在第一衬底上形成堆叠结构，其中，所述堆叠结构包括在垂直于所述堆叠结构的堆叠方向的第一方向上间隔设置的第一存储区域和第二存储区域、以及位于所述第一存储区域和所述第二存储区域之间的阶梯区域和贯穿阵列触点区域；

在所述堆叠结构的位于所述阶梯区域中的部分形成阶梯结构，并去除所述堆叠结构的位于所述贯穿阵列触点区域中的部分以暴露出所述第一衬底；

形成沿所述堆叠结构的堆叠方向贯穿所述堆叠结构的贯穿阵列触点结构；

在所述堆叠结构上形成通过所述贯穿阵列触点结构与所述第一衬底电连接的互连层；以及

在所述互连层上形成第一键合层；

形成外围芯片；以及

通过键合工艺连接所述外围芯片和所述第一键合层。