[发明专利]一种低析出聚酯薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种低析出聚酯切片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、将对苯二甲酸和乙二醇按照摩尔比1：1.1-2.0混合，加入助剂聚合，酯化温度220℃-260℃，缩聚温度260℃-290℃；

S2、当样品的粘度在0.40-0.55dL/g之间时结束反应，得到共聚酯熔体；

S3、通过氮气压出成条后切粒，得到切片，再将切片进行固相缩聚，样品粘度在0.60-0.80dL/g之间时结束反应，得低析出聚酯切片。

2.根据权利要求1所述的低析出聚酯切片的制备方法，其特征在于：S1中所述助剂为催化剂、稳定剂及防醚剂。

3.一种低析出聚酯薄膜，其特征在于，由以下质量份数的原料制备而成：

95-100份的低析出聚酯切片、0-5份的开口剂；所述低析出聚酯切片由权利要求1所述的低析出聚酯切片的制备方法制得；

所述低析出聚酯薄膜双面涂覆相同或不同涂液。

4.根据权利要求3所述的低析出聚酯薄膜，其特征在于：所述开口剂为硅系或钙系聚酯切片，其中氧化硅或氧化钙质量含量1000-50000mg/kg，粒径范围为0.1-10μm。

5.根据权利要求3所述的低析出聚酯薄膜，其特征在于：所述涂液为聚酯涂液、聚氨酯涂液或亚克力涂液中一种或多种，涂层厚度为20-1000nm。

6.权利要求3所述的低析出聚酯薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：按配比选取各组分原料；采用平面双向拉伸工艺，经结晶干燥、熔融挤出、铸膜、纵向拉伸、涂布、横向拉伸、横向定型、牵引收卷、分切工艺流程，得低析出聚酯薄膜。

7.根据权利要求6所述的低析出聚酯薄膜的制备方法，其特征在于：制备过程中，结晶温度为160-200℃，干燥温度为135-175℃，挤出温度为260-300℃，纵向拉伸温度为80-125℃，纵向拉伸倍率为2.5-4.5，横向拉伸温度为80-130℃，横向拉伸倍率为3.0-5.0，横向定型温度200-250℃，横向松弛率3-10％。