[发明专利]OPC修正方法在审
申请号: | 202110196848.6 | 申请日: | 2021-02-22 |
公开(公告)号: | CN112987488A | 公开(公告)日: | 2021-06-18 |
发明(设计)人: | 张月雨 | 申请(专利权)人: | 上海华力集成电路制造有限公司 |
主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 郭四华 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | opc 修正 方法 | ||
1.一种OPC修正方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤一、建立多个精度不同的OPC模型;
步骤二、提供需要做OPC修正的目标版图,所述目标版图的图形处于初始态;
步骤三、选择精度最低的OPC模型对所述目标版图进行多次OPC运算并形成精度最低的OPC模型对应的OPC中间层;
步骤四、选择精度更高一层的OPC模型对前一层精度的OPC模型形成的OPC中间层进行多次OPC运算并形成所选择精度的OPC模型对应的OPC中间层;
步骤五、重复步骤四直至形成精度次高的OPC模型对应的OPC中间层;
步骤六、选择精度最高的OPC模型对精度次高的OPC模型对应的OPC中间层进行多次OPC运算形成最终OPC结果。
2.如权利要求1所述的OPC修正方法,其特征在于:步骤一中包括2个精度的OPC模型,步骤四和步骤五省略。
3.如权利要求1或2的OPC修正方法,其特征在于:精度最高的OPC模型为按照量产要求建立的符合规格的OPC模型。
4.如权利要求3的OPC修正方法,其特征在于:精度次高以下的OPC模型为在精度最高的OPC模型的基础上进行模型参数简化或者模型计算范围减少生成的OPC模型;精度越小的OPC模型的运算速度越快。
5.如权利要求4的OPC修正方法,其特征在于:图形周期及尺寸在接近最小设计图形周期以及尺寸的1-2倍的范围内,采用精度次高以下的OPC模型进行OPC运算的模拟趋势和硅衬底上的实际量测数据相符。
6.如权利要求1或2的OPC修正方法,其特征在于:步骤三、步骤四和步骤五中各精度的OPC模型对应的OPC运算次数的最优解为,在得到符合要求的所述最终OPC结果的同时,节省的总OPC运算时间最多。
7.如权利要求6的OPC修正方法,其特征在于:步骤六中,精度最高的OPC模型对应的OPC运算次数为1到20次,精度最高的OPC模型对应的OPC运算次数越少节省的总OPC运算时间越多。
8.如权利要求6的OPC修正方法,其特征在于:步骤一中包括2个精度的OPC模型时,步骤三中精度最低的OPC模型对应的OPC运算次数为1到15次,精度最低的OPC模型对应的OPC运算次数的最优解从1到15次中选取。
9.如权利要求1的OPC修正方法,其特征在于:步骤六得到的最终OPC结果符合量产的OPC精度要求。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备