[发明专利]具有器件辅助图形的版图的OPC修正方法

说明书

本发明公开了一种具有器件辅助图形的版图的OPC修正方法，包括：步骤一、提供具有器件辅助图形的初始版图，在器件辅助图形中选取特征器件辅助图形，在初始版图中截取包含了所选取的特征器件辅助图形的特征子版图，对特征子版图进行OPC修正形成掩模板子图层；步骤二、对初始版图中的特征器件辅助图形进行图形匹配并将匹配到的特征辅助图形都替换为掩模板子图层并生成第一掩模板图层；步骤三、对初始版图中和第一掩模板图层未接触的主图形和器件辅助图形进行OPC修正形成第二掩模板图层，将第一掩模板图层和所述第二掩模版图层进行合并形成最终掩模板图层。本发明能简化器件辅助图形的OPC修正过程并同时保证OPC修正的准确性。

技术领域

本发明涉及一种半导体集成电路制造方法，特别涉及一种具有器件辅助图形(Device Assist Feature，DAF)的版图的光学邻近效应修正(Optical ProximityCorrection，OPC)方法。

背景技术

在集成电路版图设计中，器件辅助图形(DAF)的尺寸和间距通常与版图主要图形一致，需要进行OPC修正，在有些版图中，为满足干刻和化学机械研磨工艺的要求，保证掩模板上版图的密度，及主图形周围的图形密度，需要添加大量的器件辅助图形，且有些情况会使用器件辅助图形完全替代冗余图形，使得版图中存在大面积的需要进行OPC修正的器件辅助图形。大面积的器件辅助图形会消耗大量OPC的运算时间。器件辅助图形和正常的版图主图形一样，OPC修改包括如下过程：

经过OPC运算即进行基于规则(Rule-based)的OPC运算，生成OPC目标层；

对器件辅助图形添加亚曝光辅助图形(SRAF)；

基于OPC模型对器件辅助图形进行运算即进行基于模型(model-based)的OPC运算，生成掩模板层(MASK)。运算量及运算时间与器件辅助图形的面积呈线性关系。

器件辅助图形本身并不具备器件性能，且在版图中的排布通常较单一，特别是大量起填充版图作用的器件辅助图形，尺寸和间距通常较大，OPC修正后的亚曝光辅助图形层和掩模板层也通常较简单。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种具有器件辅助图形的版图的OPC修正方法，能简化器件辅助图形的OPC修正过程并同时保证OPC修正的准确性，能大大缩短OPC运算时间，节省集成电路研发和制造成本。

为解决上述技术问题，本发明提供的具有器件辅助图形的版图的OPC修正方法包括如下步骤：

步骤一、提供具有器件辅助图形的初始版图，在所述器件辅助图形中选取特征器件辅助图形，在所述初始版图中截取包含了所选取的所述特征器件辅助图形的特征子版图，对所述特征子版图进行OPC修正形成掩模板子图层。

步骤二、对所述初始版图中的所述特征器件辅助图形进行图形匹配并将匹配到的所述特征辅助图形都替换为所述掩模板子图层并生成第一掩模板图层。

步骤三、对所述初始版图中和所述第一掩模板图层未接触的主图形和所述器件辅助图形进行OPC修正形成第二掩模板图层，将所述第一掩模板图层和所述第二掩模版图层进行合并形成最终掩模板图层。

进一步的改进是，步骤一中的所述特征器件辅助图形包括一类以上，每一类特征对应的所述特征器件辅助图形都形成和特征类型相对应的所述掩模板子图层和所述第一掩模板图层。

步骤三中，将各特征类型对应的所述第一掩模板图层和所述第二掩模版图层一起进行合并形成所述最终掩模板图层。

进一步的改进是，步骤一中所述特征器件辅助图形的所选取方法包括：

将在所述初始版图中大量重复放置的所述器件辅助图形选择为所述特征器件辅助图形。

进一步的改进是，步骤一中，所述特征子版图的截取方法为：