[发明专利]一种薄膜型AlGaInP发光二极管结构及其制备方法

权利要求书

1.一种薄膜型AlGaInP发光二极管结构，自下而上依次包括：P电极、基板、键合金属层、反射金属层、高阻半导体层、P面接触电极、P型层、发光层、N型层、N型欧姆接触层、N电极，其特征在于：在P型层与反射金属层之间设有高阻半导体层，在N电极正下方之外区域的高阻半导体层内留有空缺，并在空缺处设有P型接触电极与P型层相连。

2.根据权利要求1所述的一种薄膜型AlGaInP发光二极管结构，所述设在P型层与反射金属层之间的高阻半导体层目的为阻挡空穴载流子，即空穴的高阻层，是不掺杂的半导体材料、N型掺杂半导体材料中的一种或二者的组合；所述高阻半导体层的组分与P型层相同或不同。

3.根据权利要求1或2所述的一种薄膜型AlGaInP发光二极管结构，所述基板是导电材料，或不导电材料，当所述基板为导电材料时，P电极设在基板的背面，当所述基板为不导电材料时，P电极设在基板上侧的键合金属层上。

4.根据权利要求1所述的一种薄膜型AlGaInP发光二极管结构的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

A、提供砷化镓衬底，在所述砷化镓衬底上依次生长包括缓冲层、N型欧姆接触层、N型层、发光层、P型层和高阻半导体层在内的AlGaInP发光二极管外延薄膜；

B、在所述AlGaInP发光二极管外延薄膜上，在需要制备P面接触电极的位置利用光刻技术腐蚀掉高阻半导体层，露出P型层；

C、在露出的P型层的位置制备P面接触电极，然后依次沉积反射金属层、键合金属层；

D、提供基板，在所述基板的正面沉积键合金属层，采用晶圆热压键合方法通过AlGaInP发光二极管外延薄膜上的键合金属层和基板正面的键合金属层将AlGaInP发光二极管外延薄膜与基板绑定在一起；

E、腐蚀掉所述砷化镓衬底和缓冲层，露出N型欧姆接触层；

F、利用光刻技术腐蚀掉需制备N电极区域之外的N型欧姆接触层，然后在保留有N型欧姆接触层的区域制备N电极；

G、在N型层上形成粗化表面；

H、在所述基板背面或键合金属层上制备P电极。

5.根据权利要求4所述的一种薄膜型AlGaInP发光二极管结构的制备方法，所述AlGaInP发光二极管外延薄膜生长方法是金属有机化学气相外延或者分子束外延。