[发明专利]一种氮氧传感器陶瓷芯片的膜片在审

专利信息
申请号: 202110197141.7 申请日: 2021-02-22
公开(公告)号: CN112834592A 公开(公告)日: 2021-05-25
发明(设计)人: 彭琛;雷运清 申请(专利权)人: 成都能斯特新材料科技有限公司
主分类号: G01N27/407 分类号: G01N27/407
代理公司: 广州德伟专利代理事务所(普通合伙) 44436 代理人: 黄浩威;何文颖
地址: 610000 四*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 传感器 陶瓷 芯片 膜片
【权利要求书】:

1.一种氮氧传感器陶瓷芯片的膜片,包括第一膜片层(1)、第五膜片层(5)、第六膜片层(6)和外电极(7),所述第一膜片层(1)顶部通印刷有外电极(7),所述第一膜片层(1)下方安装有第五膜片层(5),所述第五膜片层(5)底部安装有第六膜片层(6),其特征在于:所述第一膜片层(1)底部安装有稳定的第二膜片层(2),所述第二膜片层(2)底部安装有第三膜片层(3),所述第三膜片层(3)和第五膜片层(5)之间安装有密封性优良的第四膜片层(4),所述第一膜片层(1)、第二膜片层(2)、第三膜片层(3)、第四膜片层(4)、第五膜片层(5)和第六膜片层(6)均采用多孔结构。

2.根据权利要求1所述的一种氮氧传感器陶瓷芯片的膜片,其特征在于:所述第二膜片层(2)包括第二层体(21)、第一气体扩散障(22)、内电极(23)、第二气体扩散障(24)、泵氧电极(25)和第三气体扩散障(26),所述第一膜片层(1)和第三膜片层(3)之间安装有第二层体(21),所述第二层体(21)内部安装有第一气体扩散障(22),所述第二层体(21)内部位于第一气体扩散障(22)的右侧安装有内电极(23),所述第二层体(21)内部远离内电极(23)的位置安装有第三气体扩散障(26),所述第二层体(21)内部位于内电极(23)和第三气体扩散障(26)之间安装有泵氧电极(25),所述泵氧电极(25)和内电极(23)之间安装有第二气体扩散障(24)。

3.根据权利要求2所述的一种氮氧传感器陶瓷芯片的膜片,其特征在于:所述第三膜片层(3)包括第三层体(31)、气体参比通道(32)、多孔扩散障层(33)和参比电极(34),所述第二层体(21)底部安装有第三层体(31),所述第三层体(31)内部安装有多孔扩散障层(33),所述第三层体(31)内部位于多孔扩散障层(33)上方安装有气体参比通道(32),所述多孔扩散障层(33)内部位于第四膜片层(4)顶部安装有参比电极(10)。

4.根据权利要求2所述的一种氮氧传感器陶瓷芯片的膜片,其特征在于:所述第四膜片层(4)包括第四层体(41)、密封层(42)、空腔(43)和气孔(44),所述第三膜片层(3)和第五膜片层(5)之间安装有第四层体(41),所述第四层体(41)内部开有空腔(43),所述空腔(43)内部安装有密封层(42),所述第四层体(41)中部开有气孔(44),所述气孔(44)与气体参比通道(32)以及多孔扩散障层(33)相互连通。

5.根据权利要求2所述的一种氮氧传感器陶瓷芯片的膜片,其特征在于:所述第二膜片层(2)端部安装有PVA涂布高阻隔薄膜(8)。

6.根据权利要求4所述的一种氮氧传感器陶瓷芯片的膜片,其特征在于:所述第五膜片层(5)和第六膜片层(6)之间安装有绝缘层(10),所述绝缘层(10)内部安装有加热电极(9)。

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