[发明专利]一种AlGaInP发光二极管芯片结构有效
| 申请号： | 202110197610.5 | 申请日： | 2021-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN112786757B | 公开（公告）日： | 2021-12-21 |
| 发明（设计）人： | 吕全江;刘军林;刘桂武;乔冠军 | 申请（专利权）人： | 江苏大学 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 212013 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 algainp 发光二极管 芯片 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种AlGaInP发光二极管芯片结构，其组成部分从下至上包括：P电极、基板、键合金属层、反射金属层、介质层、P型接触电极、P型层、发光层、N型层、N型欧姆接触层、N电极，其特征在于：所述N型欧姆接触层为GaxIn1-xP，0.4≤x≤0.6，掺Si浓度0.1×1018cm-3～10×1018cm-3。
2.如权利要求1所述的一种AlGaInP发光二极管芯片结构，其特征在于：所述N型欧姆接触层为GaxIn1-xP，0.48≤x≤0.52。
3.如权利要求1所述的一种AlGaInP发光二极管芯片结构，其特征在于：所述发光层采用多量子阱结构，阱、垒分别为(AlxGa1-x)0.5In0.5P，0≤x≤0.3；(AlxGa1-x)0.5In0.5P，0.4≤x≤0.6。
4.如权利要求1所述的一种AlGaInP发光二极管芯片结构，其特征在于：所述N型层为(AlxGa1-x)0.5In0.5P，0.1≤x≤0.5。
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