[发明专利]半导体器件、半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202110197939.1 | 申请日： | 2021-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN113299733A | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 黄懋霖;朱龙琨;徐崇威;余佳霓;江国诚;程冠伦;王志豪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/10;H01L29/423;H01L29/78;H01L27/088;H01L21/8234;H01L21/336;H01L21/28;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
1.一种半导体结构，包括：
鳍结构，位于衬底上方；
竖直堆叠的硅纳米结构，设置在所述鳍结构上方；
隔离结构，设置在所述鳍结构周围；
含锗界面层，包围在每一个竖直堆叠的硅纳米结构周围；
栅极介电层，包围在所述含锗界面层周围；以及
栅电极层，包围在所述栅极介电层周围。
2.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括：
位于所述含锗界面层和每一个竖直堆叠的硅纳米结构之间的硅锗层。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述含锗界面层包括氧化硅锗、氧化锗或掺杂锗的氧化硅。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述含锗界面层设置在所述鳍结构上。
5.根据权利要求4所述的半导体结构，还包括：
位于所述含锗界面层和所述鳍结构之间的硅锗层。
6.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括：
与所述竖直堆叠的硅纳米结构交错的内部间隔件部件，
其中，所述含锗界面层与所述内部间隔件部件接触。
7.一种半导体器件，包括：
p型晶体管，包括：
第一鳍结构，位于衬底上方，
第一多个硅纳米结构，设置在所述第一鳍结构上方，
第一界面层，包围在每一个第一多个硅纳米结构周围，
栅极介电层，包围在所述第一界面层周围，和
栅电极层，包围在所述栅极介电层周围；以及
n型晶体管，包括：
第二鳍结构，位于所述衬底上方，
第二多个硅纳米结构，设置在所述第二鳍结构上方，
第二界面层，包围在每一个第二多个硅纳米结构周围并与之接触，
栅极介电层，包围在所述第二界面层周围，和
栅电极层，包围在所述栅极介电层周围，
其中，所述第一界面层的组成不同于所述第二界面层的组成。
8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述第一界面层包括锗，并且所述第二界面层不含锗。
9.根据权利要求7所述的半导体器件，还包括：
位于所述第一界面层和所述第一多个硅纳米结构之间的硅锗层。
10.一种形成半导体结构的方法，包括：
在衬底上方交替堆叠第一外延层和第二外延层以形成半导体堆叠件；
图案化所述半导体堆叠件以形成鳍；
从所述第二外延层去除所述鳍的第一外延层以形成纳米结构；
形成包围在所述纳米结构周围的含锗覆层；
执行预清洁工艺以将至少部分含锗覆层转化为含锗界面层；
沉积包围在所述含锗界面层周围的栅极介电层；以及
在所述栅极介电层上方形成栅电极层。
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