[发明专利]相变存储器及其制备方法

权利要求书

1.一种相变存储器，其特征在于，包括：

多个并列排列的相变存储单元，位于衬底上；

沿第一方向延伸的多条第一导电线；所述多条第一导电线平行于第二方向并列设置；其中，所述第一方向和所述第二方向，平行于所述衬底所在平面且彼此垂直；

沿第二方向延伸的多条第二导电线；所述多条第二导电线平行于所述第一方向并列设置；所述相变存储单元，位于所述第一导电线和所述第二导电线之间，且分别垂直于所述第一导电线和所述第二导电线；

电绝缘的隔离结构，位于相邻的所述相变存储单元之间，用于电隔离相邻的所述相变存储单元；其中，所述隔离结构的组成材料包括陶瓷；

所述隔离结构包括：多个第一子隔离结构，沿垂直于所述衬底平面方向延伸，且平行于所述第二方向并列设置，用于电隔离相邻的所述相变存储单元以及相邻的所述第一导电线；

多个第二子隔离结构，沿垂直于所述衬底平面方向延伸，且平行于所述第一方向并列设置，用于电隔离相邻的所述第二导电线以及相邻的所述相变存储单元。

2.根据权利要求1所述的相变存储器，其特征在于，

所述隔离结构的组成材料还包括：聚合物。

3.根据权利要求2所述的相变存储器，其特征在于，

在所述隔离结构的组成材料中，所述陶瓷的含量大于或等于80％。

4.根据权利要求1或2所述的相变存储器，其特征在于，

所述隔离结构的组成材料还包括：碳和氧化物。

5.根据权利要求4所述的相变存储器，其特征在于，

在所述隔离结构的组成材料中，所述陶瓷的含量范围为10％至80％。

6.一种相变存储器的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

在衬底上形成第一导电材料层；

在所述衬底上，形成覆盖所述第一导电材料层的存储单元材料层；

沿垂直于衬底所在的平面方向，形成贯穿所述存储单元材料层的多个电绝缘的隔离结构，以将所述存储单元材料层分割为多个相变存储单元；其中，所述隔离结构的组成材料包括陶瓷；

所述形成贯穿所述存储单元材料层的多个电绝缘的隔离结构，包括：

沿垂直于所述衬底方向，形成贯穿所述存储单元材料层和所述第一导电材料层的多个第一子沟槽；其中，所述第一子沟槽沿第一方向延伸，且所述多个第一子沟槽平行于第二方向并列排布；所述第一方向和所述第二方向，平行于所述衬底所在平面且彼此垂直；

填充所述第一子沟槽，形成第一子隔离结构；其中，多个所述第一子隔离结构，将所述第一导电材料层分割为彼此平行的多条第一导电线；

形成覆盖所述第一子隔离结构和所述存储单元材料层的第二导电材料层；

沿垂直于所述衬底方向，形成贯穿所述第二导电材料层和所述存储单元材料层的多个第二子沟槽；其中，所述第二子沟槽沿所述第二方向延伸，且所述多个第二子沟槽平行于所述第一方向并列排布；

填充所述第二子沟槽，形成第二子隔离结构；其中，多个所述第二子隔离结构，将所述第二导电材料层分割为彼此平行的多条第二导电线；所述隔离结构包括所述第一子隔离结构和所述第二子隔离结构。

7.根据权利要求6所述的相变存储器的制备方法，其特征在于，所述形成贯穿所述存储单元材料层的多个电绝缘的隔离结构，包括：

形成贯穿所述存储单元材料层的多个沟槽；

应用溶胶-凝胶旋涂法向所述沟槽填充所述隔离结构的组成材料，以形成所述隔离结构。