[发明专利]半导体装置的形成方法

说明书

本公开涉及一种半导体装置的形成方法。接收半导体结构，其具有第一鳍状物与第二鳍状物。形成第一外延结构于第一鳍状物上，且第一外延结构具有第一型掺质。形成第一盖层于第一外延结构上。形成第二外延结构于第二鳍状物上，第二外延结构具有第二型掺质，且第二型掺质与第一型掺质不同。沉积第一金属于第二外延结构与第一盖层上。自第一金属与第二外延结构形成第一硅化物层，并自第一金属与第一盖层形成第二盖层。选择性移除第二盖层。沉积第二金属于第一外延结构与第二外延结构上。自第二金属与第一外延结构形成第二硅化物层。

技术领域

本发明实施例一般关于集成电路与半导体装置与其形成方法，更特别关于具有双硅化物结构的集成电路与半导体装置。

背景技术

集成电路产业已经历指数成长。集成电路材料与设计的技术进展，使每一代的集成电路比前一代具有更小且更复杂的电路。在集成电路演进中，功能密度(比如单位芯片面积的内连线装置数目)通常随着几何尺寸(比如采用的制作工艺所能产生的最小构件或线路)缩小而增加。尺寸缩小的工艺通常有利于增加产能与降低相关成本。

尺寸缩小通常也增加处理与制造集成电路的复杂度。为实现这些进展，集成电路的制造与处理需要类似发展。举例来说，可采用双硅化物结构以减少半导体装置的接点电阻。然而在尺寸缩小的装置中制作这些双硅化物结构的方法，与具有狭窄的图案化容许范围的光微影步骤相关。这会造成进阶技术节点的制作挑战。因此现存的双硅化物技术通常适用于其预期目的，但无法符合所有方法的需求。

发明内容

本发明一实施例关于半导体装置的形成方法。方法包括接收半导体结构，其具有第一鳍状物于第一装置区中与第二鳍状物于第二装置区中。方法亦包括形成第一外延结构于第一鳍状物上，且第一外延结构具有第一型掺质。方法还包括形成第一盖层于第一外延结构上。此外，方法还包括形成第二外延结构于第二鳍状物上，第二外延结构具有第二型掺质，且第二型掺质与第一型掺质不同。此外，方法包括沉积第一金属材料于第二外延结构与第一盖层上并直接接触第二外延结构与第一盖层。此外，方法亦包括自第一金属材料与第二外延结构形成第一硅化物层，并自第一金属材料与第一盖层形成第二盖层。此外，方法包括选择性移除第二盖层；沉积第二金属材料于第一外延结构与第二外延结构上并直接接触第一外延结构；以及自第二金属材料与第一外延结构形成第二硅化物层。

本发明一实施例关于半导体装置的形成方法。方法包括接收半导体基板，并形成遮罩以覆盖第一装置区，并露出遮罩的开口中的第二装置区。方法亦包括经由遮罩的开口形成n型外延结构于露出的第二装置区中，经由遮罩的开口形成第一盖层于n型外延结构上；以及形成p型外延结构于第一装置区中。方法亦包括形成第一硅化物层于p型外延结构上与n型外延结构之上的第二盖层上。此外，方法包括选择性移除第二盖层而实质上不移除第一硅化物层。此外，方法包括形成第二硅化物层于n型外延结构上。

本发明一实施例关于半导体装置。半导体装置包括半导体基板；具有第一半导体材料的第一外延结构，位于半导体基板上；具有第二半导体材料的第二外延结构，位于半导体基板上，且第二半导体材料与第一半导体材料不同。半导体装置亦包括第一硅化物层，位于第一外延结构上并物理接触第一外延结构；以及第二硅化物层，位于第二外延结构上并物理接触第二外延结构。第一硅化物层包括第一半导体材料的元素与第一金属材料。第二硅化物层包括第二半导体材料的元素与第二金属材料，且第二金属材料与第一金属材料不同。半导体装置额外包括第二金属材料于第一硅化物层上并直接接触第一硅化物层。

附图说明

图1是本发明一些实施例中，半导体装置的三维立体图。

图2、图3、图4、图5、图6、图7、图8、图9、图10、图11、图12、图13、及图14是本发明一些实施例中，半导体装置于不同工艺阶段的剖视图。

图15是本发明多种实施例中，制作半导体装置的方法的流程图。

附图标记说明：

100：半导体装置