[发明专利]一种IGBT半桥电路的封装装置

说明书

本发明提供了一种IGBT半桥电路的封装装置，包括管脚组件、封装外壳、设置于封装外壳内的载芯板、以及焊接于载芯板上的第一IGBT元件、第二IGBT元件和温度检测元件。管脚组件包括第一管脚，第二管脚，第三管脚，第四管脚，第五管脚和第六管脚。第一IGBT元件与第二IGBT元件串联，且串联后的两端分别与连接第一管脚、第四管脚。温度检测元件的一端连接第三管脚、另一端连接第四管脚，所述第一IGBT元件与第二IGBT元件的栅极分别连接第五管脚、第六管脚。第二管脚接入第一IGBT元件与第二IGBT元件的串联处用于电流采样。以此，可降低电磁炉、微波炉等的电路设计复杂程度、节约能耗，提高发热检测的精准和灵敏度以及提高电流采样精度。

【技术领域】

本发明涉及IGBT半桥电路的技术领域,尤其是涉及一种IGBT半桥电路的封装装置。

【背景技术】

众所周知，电磁炉中常实用全桥电路或半桥电路将普通交流电转化成高频直流电流，通过做功线盘产生强烈电涡流，并与相应用锅具感应产生激烈电磁场，直接促使相应用锅具材料内部原子极速激荡碰撞，从而使得相应用锅具自身快速发热产生高温，用来加工烹饪食物。但目前，市场上微波炉与电磁炉中采用的半桥电路，均是由两颗单独封装的绝缘栅双极型晶体管(IGBT)组成，两个IGBT元件单独封装，应用体积和电路设计较为复杂，且能耗较高。

并且，现有IGBT元件外接的发热保护检测只能靠在散热片背后粘接的热电偶温度传感器或热敏电阻(NTC)来做发热检测，其电路图如图1所示，该检测受热阻影响导致该温度检测灵敏度和速度较慢。同时，该半桥电路中进行电流检测的采样点远离IGBT元件，其电流采样的导线较长，受导线电阻的影响而造成电流采用不准确，进而导致微波炉、电磁炉降低工作能耗，影响加热温度。

因此，现有技术有待改进和发展。

【发明内容】

本发明的目的在于提供一种IGBT半桥电路的封装装置，用于解决现有电磁炉等半桥电路中两个IGBT元件因在散热片后粘贴温度检测元件到时温度检测灵敏度和速度较慢以及因电流采样导线较长采样不准确导致加热温度不精准的问题。

本发明的技术方案如下：一种IGBT半桥电路的封装装置，包括：管脚组件，封装外壳，设置于封装外壳内的载芯板，以及焊接于载芯板上的第一IGBT元件、第二IGBT元件和温度检测元件；所述管脚组件包括第一管脚，第二管脚，第三管脚，第四管脚，第五管脚和第六管脚；

所述第一IGBT元件与第二IGBT元件串联，且串联后的两端分别与连接第一管脚、第四管脚；所述温度检测元件的一端连接第三管脚、另一端连接第四管脚，所述第一IGBT元件与第二IGBT元件的栅极分别连接第五管脚、第六管脚；所述第二管脚接入第一IGBT元件与第二IGBT元件的串联处，用于电流采样。

进一步的，所述的一种IGBT半桥电路的封装装置，还包括焊接于载芯板上的第一二极管和第二二极管，所述第一二极管与第一IGBT元件反向并联，所述第二二极管与第二IGBT元件反向并联。

进一步的，所述第一管脚、第二管脚、第三管脚、第四管脚、第五管脚采用铜框架设置形成。

进一步的，所述第一管脚、第二管脚、第三管脚、第四管脚、第五管脚并排设置，所述载芯板位于管脚组件的一侧。

进一步的，所述第一IGBT元件、第二IGBT元件、温度检测元件由上之下依次设置，所述第一二极管位于第一IGBT元件的侧边，所述第二二极管位于第二IGBT元件的侧边，所述第一二极管、第二二极管并排设置。

进一步的，所述第一IGBT元件、第二IGBT元件水平并排设置后，再与温度检测元件纵向设置，所述温度检测元件位于第一IGBT元件、管脚组件之间。

进一步的，所述第一二极管与第一IGBT元件预先封装一体后再焊接于载芯板上，所述第二二极管与第二IGBT元件预先封装一体后再焊接于载芯板上。