[发明专利]图案化的方法在审
| 申请号： | 202110198683.6 | 申请日： | 2021-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN114975110A | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 金志勋;白国斌;高建峰;王桂磊;田光辉;崔恒玮 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 北京兰亭信通知识产权代理有限公司 11667 | 代理人： | 孙峰芳 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 图案 方法 | ||
1.一种图案化的方法，其特征在于，包括：
在要被刻蚀的目标层上形成牺牲层，所述牺牲层为低密度碳薄膜；
在所述牺牲层上形成以SiOCN为材料的硬掩膜层；
在所述牺牲层和所述硬掩膜层上形成刻蚀图案；
以形成的刻蚀图案对所述目标层进行刻蚀。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述牺牲层以PECVD方式形成，包括：
向反应室通入含有碳元素和氢元素的第一反应气体以及惰性气体，气体流速控制在10～5000sccm，温度为100～800℃，压力为1～100Torr。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一反应气体使用C3H6、C2H4、C2H2、C2H6和C3H8中的任一种。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述惰性气体使用氩气(Ar)、氦气(He)和氯气(Cl)中的任一种。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述硬掩膜层以PECVD方式形成，包括：
向反应室通入含有硅元素、氧元素、碳元素和氮元素的第二反应气体以及氨气(NH3)，所述第二反应气体的流速控制在1～5000sccm，所述氨气的流速控制在1～1000sccm，温度为100～600℃，压力为1～100Torr。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第二反应气体为SiH4、N2O和碳氢化合物气体的混合气体。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述碳氢化合物气体使用C3H6、C2H4、C2H2、C2H6和C3H8中的任一种。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述牺牲层和所述硬掩膜层上形成刻蚀图案，包括：
使用干法刻蚀对所述硬掩膜层进行刻蚀，形成刻蚀图案；
以刻蚀后的硬掩膜层为掩膜对所述牺牲层进行刻蚀，将刻蚀图案转移到所述牺牲层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
