[发明专利]增强有机半导体热电性能的方法及有机半导体热电器件

权利要求书

1.一种增强有机半导体热电性能的方法，其特征在于：以有机半导体材料为主体，将量子点沉积到有机半导体层上，形成有机半导体/量子点异质结，在光照条件下，在量子点中会产生大量的电子空穴对，电子空穴对传输至异质结界面处，电子空穴发生分离，电子或空穴进入有机半导体，增加了有机半导体的载流子浓度，从而提高了有机半导体的热电性能；所述有机半导体材料为N型或P型有机半导体材料；所述P型有机半导体材料的最高占据分子轨道HOMO能级高于钙钛矿量子点的最高占据分子轨道HOMO能级，或所述N型有机半导体材料的最低未占分子轨道LUMO能级低于钙钛矿量子点的最低未占分子轨道LUMO能级。

2.如权利要求1所述的一种增强有机半导体热电性能的方法，其特征在于所述量子点为钙钛矿量子点。

3.如权利要求1所述的一种增强有机半导体热电性能的方法，其特征在于所述量子点采用溶液法或气相法将其沉积到有机半导体层上。

4.一种有机半导体热电器件，其特征在于：在衬底上方形成冷热电极，在冷热电极上方沉积有机半导体层，采用如权利要求1-3任一所述的方法增强有机半导体的热电性能，当左右两侧形成温度差时，冷热电极之间就会产生电流信号。

5.如权利要求4所述的一种有机半导体热电器件，其特征在于所述量子点为钙钛矿量子点。

6.如权利要求4所述的一种有机半导体热电器件，其特征在于所述量子点采用溶液法或气相法将其沉积到有机半导体层上。