[发明专利]一种基于SiC DSRD器件的脉冲压缩结构

权利要求书

1.一种基于SiC DSRD器件的脉冲压缩结构，包括脉冲发射源、脉冲压缩结构和脉冲输出，所述脉冲发射源包括相连接的脉冲发生装置和驱动装置，其特征在于，所述脉冲压缩结构由多个脉冲压缩单元构成，每个脉冲压缩单元包括电源、第一电感L3、第二电感L4、第三电感L5、第一电容C3、第二电容C4、第三电容C5、开关MOS管、第一电阻R4、第二电阻R5、第一SiC DSRD器件DSRD1和第二SiC DSRD器件DSRD2；其中，电源通过第一电感L3后接开关MOS管的漏极，开关MOS管的栅极接驱动装置的输出端，开关MOS管的源极接地；第一电感L3与开关MOS管漏极的连接点通过第一电容C3后接地，第一电感L3与开关MOS管漏极的连接点通过第二电感L4后接第一SiC DSRD器件DSRD1的阴极，第一SiC DSRD器件DSRD1的阳极通过第二电容C4后接地；第一SiC DSRD器件DSRD1与第二电容C4的连接点通过第一电容R4后接电源；第二电感L4与第一SiC DSRD器件DSRD1的连接点接第三电感L5的一端，第三电感L5的另一端接第二SiC DSRD器件DSRD2的阴极，第二SiC DSRD器件DSRD2的阳极通过第三电容C5后接地；第二SiC DSRD器件DSRD2与第三电容C5的连接点通过第二电容R5后接电源；

多个脉冲压缩单元的前级结构并联形成并联支路，脉冲压缩单元中，第一电感L3、开关MOS管、第二电感L4、第一电容C3、第一SiC DSRD器件DSRD1、第二电容C4和第一电阻R4构成前级结构；第三电感L5、第二SiC DSRD器件DSRD2、第三电容C5、第二电阻R5构成后级结构，后级结构进行串联叠加，串联方式为，第三电感L5和第二SiC DSRD器件DSRD2的连接点作为输出端，与下一个后级结构的电感连接，最后一个后级结构的电感与SiC DSRD器件的连接点作为该串联支路的输出端，所有串联支路的输出端连接作为最终脉冲输出。