[发明专利]一种碳化硅陶瓷的钎焊方法

权利要求书

1.一种碳化硅陶瓷的钎焊方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤S1，将碳化硅陶瓷进行表面处理；

步骤S2，采用气相沉积法在碳化硅陶瓷表面先沉积第一金属层，然后在第一金属层表面沉积第二金属层，得到沉积了双金属层的碳化硅陶瓷；第一金属层的厚度为0.1μm～5μm，第二金属层的厚度为0.1～1μm；

其中，第一金属层的材料选自Ni、Ti、Fe或Zr中的一种；第二金属层的材料选自Al；

步骤S3，钎焊：将需要连接的碳化硅陶瓷放置于真空烧结炉中，使连接面的双金属层相对放置；然后在需要连接的碳化硅陶瓷之间放置厚度为10～70μm的纯Al箔，施加0.01-0.05MPa的作用力使需要连接的碳化硅陶瓷及Al箔固定；当炉内真空达到10^-1Pa时开始加热，升温至680～720℃并保温10～60min；保温结束后随炉冷却至室温，得到钎焊连接后的碳化硅陶瓷。

2.根据权利要求1所述的碳化硅陶瓷的钎焊方法，其特征在于，步骤S1的表面处理工艺包括：

将碳化硅陶瓷表面打磨至平整，然后采用金刚石研磨膏进行机械抛光处理至表面光亮；

在丙酮溶液中进行超声清洗去除表面油污；

将碳化硅陶瓷放置于烘箱中，加热至80～120℃，保温60-100min进行干燥处理。

3.根据权利要求2所述的碳化硅陶瓷的钎焊方法，其特征在于，采用400目、800目或1000目的砂纸在金相研磨机上进行金相打磨至表面平整；然后采用粒度为1μm的金刚石研磨膏进行机械抛光处理至表面光亮。

4.根据权利要求1所述的碳化硅陶瓷的钎焊方法，其特征在于，所述气相沉积法为真空磁控溅射法、真空蒸镀法或离子镀法。