[发明专利]双向可控硅整流器

权利要求书

1.一种双向可控硅整流器，其特征在于，包括：

第一导电型的衬底；

第二导电型的阱区，形成在所述衬底内；

浅沟槽隔离结构，形成在所述衬底内，且在所述阱区中分隔出并排的第一有源区、第二有源区、第三有源区与第四有源区；

第一导电型的第一重掺杂区、第二导电型的第一重掺杂区、第一导电型的第二重掺杂区以及第一导电型的第一ESD注入层，设置在所述第二有源区内，其中所述第二导电型的第一重掺杂区位於所述第一导电型的第一重掺杂区以及所述第一导电型的第二重掺杂区之间并且与两者分隔一距离，所述第一导电型的第一ESD注入层设置在所述第二导电型的第一重掺杂区、所述第一导电型的第一重掺杂区以及所述第一导电型的第二重掺杂区的底部，且所述第一导电型的第一重掺杂区与所述第二导电型的第一重掺杂区电连接；

第一导电型的第三重掺杂区、第二导电型的第二重掺杂区、第一导电型的第四重掺杂区以及第一导电型的第二ESD注入层，设置在与所述第二有源区相邻的所述第三有源区内，其中所述第一导电型的第三重掺杂区与所述第一导电型的第一重掺杂区相邻，所述第二导电型的第二重掺杂区位於所述第一导电型的第三重掺杂区以及所述第一导电型的第四重掺杂区之间并且与两者分隔一距离，所述第一导电型的第二ESD注入层设置在所述第一导电型的第三重掺杂区、所述第二导电型的第二重掺杂区以及所述第一导电型的第四重掺杂区的底部，且所述第一导电型的第三重掺杂区与所述第二导电型的第二重掺杂区电连接；

第一导电型的第五重掺杂区、第二导电型的第三重掺杂区、第二导电型的第四重掺杂区以及第一导电型的第三ESD注入层，设置在与所述第二有源区相邻的所述第一有源区内，其中所述第一导电型的第五重掺杂区与所述第二导电型的第三重掺杂区相接觸并且与所述第二导电型的第四重掺杂区分隔一距离，所述第一导电型的第三ESD注入层设置在第一导电型的第五重掺杂区与所述第二导电型的第四重掺杂区的底部，且所述第一导电型的第五重掺杂区与所述第二导电型的第三重掺杂区电连接，所述第二导电型的第四重掺杂区与所述第一导电型的第二重掺杂区电连接；以及

第一导电型的第六重掺杂区、第二导电型的第五重掺杂区、第二导电型的第六重掺杂区以及第一导电型的第四ESD注入层，设置在与所述第三有源区相邻的所述第四有源区内，其中所述第一导电型的第六重掺杂区与所述第二导电型的第五重掺杂区相接觸并且与所述第二导电型的第六重掺杂区分隔一距离，所述第一导电型的第四ESD注入层设置在第一导电型的第六重掺杂区与所述第二导电型的第六重掺杂区的底部，且所述第一导电型的第六重掺杂区与所述第二导电型的第五重掺杂区电连接，所述第二导电型的第六重掺杂区与所述第一导电型的第四重掺杂区电连接。

2.根据权利要求1所述的双向可控硅整流器，其特征在于，还包括：至少一第一外加二极管，连接于所述第二导电型的第四重掺杂区与所述第一导电型的第二重掺杂区之间的线路中。

3.根据权利要求1所述的双向可控硅整流器，其特征在于，还包括：至少一第二外加二极管，连接于所述第二导电型的第六重掺杂区与所述第一导电型的第四重掺杂区之间的线路中。

4.根据权利要求1所述的双向可控硅整流器，其特征在于，所述第一导电型是P型，所述第二导电型是N型。

5.根据权利要求1所述的可控硅整流器，其特征在于，所述第一导电型是N型，所述第二导电型是P型。

6.根据权利要求4所述的双向可控硅整流器，其特征在于，由所述第一导电型的第一重掺杂区、所述第一导电型的第一ESD注入层、所述阱区、所述第二导电型的第五重掺杂区与所述第一导电型的第六重掺杂区构成寄生PNP晶体管，由所述第一导电型的第四ESD注入层与所述第二导电型的第六重掺杂区构成正向二极管，所述寄生PNP晶体管与所述正向二极管通过所述第一导电型的第四重掺杂区、所述第一导电型的第二ESD注入层与所述第一导电型的第三重掺杂区形成第一低压辅助触发通路。