[发明专利]一种高孔隙率合成硅酸钙的制备方法在审
| 申请号： | 202110202212.8 | 申请日： | 2021-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN114956106A | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 张权;彭建军;陈雪梅 | 申请（专利权）人： | 中国制浆造纸研究院有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/24 | 分类号： | C01B33/24 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100102 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 孔隙率 合成 硅酸 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.本发明的目的在于提供一种高孔隙率合成硅酸钙的制备方法，其特征在于包括以下步骤：
S1：配制合适浓度的钙源材料、硅源材料和结构控制剂备用；
S2：将钙源材料、硅源材料和结构控制剂以合适比例加入反应釜中并控制合适的搅拌速度、时间和温度进行合成反应；
S3：合成反应完毕后将产物进行洗涤得到高孔隙率合成硅酸钙。
2.根据权利要求1所述的一种高孔隙率合成硅酸钙的制备方法，其特征在于，S1中硅源材料为硅酸钠、高岭土等含硅材料的一种或多几种混合，Si的摩尔浓度为1～2mol/L；钙源材料为石灰乳、硫酸钙等含钙材料的一种或几种混合，质量浓度(以Ca(OH)2计)为10％-30％。
3.根据权利要求1所述的一种高孔隙率合成硅酸钙的制备方法，其特征在于，S1中结构控制剂为铝盐(如氯化铝、硫酸铝、硝酸铝、硅酸铝、明矾等)的一种或几种。
4.根据权利要求1或3所述的一种高孔隙率合成硅酸钙的制备方法，其特征在于，S2中各物质的摩尔质量比为Ca∶Si∶Al＝0.7～1.3∶1∶0.04～0.12。
5.根据权利要求1所述的一种高孔隙率合成硅酸钙的制备方法，其特征在于，S2中反应釜反应温度为110-190℃，水固质量比3～13∶1，反应时间1-7h，搅拌速度200-800rpm。
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