[发明专利]用以更新记忆体装置的系统与方法

说明书

本案揭示一种用以更新记忆体装置的系统与方法。系统包括记忆体阵列及控制器。控制器用以以第一更新循环率对记忆体阵列执行更新操作。第一更新循环率来源于查找表中的第一更新时间。查找表用以分别地储存更新时间以及对应于更新时间的更新温度。

技术领域

本案是关于一种记忆体系统与方法，特别是关于一种具有根据操作温度而控制记忆体阵列更新率的记忆体系统与方法。

背景技术

相比其他非挥发性记忆体，磁电阻随机存取记忆体(magnetoresistive randomaccess memory；MRAM)可以高速再写。因此，发明人考虑将MRAM应用至诸如主记忆体及快取记忆体的工作记忆体。当作为MRAM的储存元件的磁穿隧接面(magnetic tunnel junction；MTJ)元件经致能以以高速存取以便将MRAM应用至快取记忆体时。数据保持特征有可能劣化，并且在高温条件下数据保持时间变短。

发明内容

本案揭示一种用以更新记忆体装置的系统。系统包括记忆体阵列及控制器。控制器用以以第一更新循环率对记忆体阵列执行更新操作。第一更新循环率来源于查找表中的第一更新时间。查找表用以分别地储存更新时间以及对应于更新时间的更新温度。

亦揭示一种用以更新记忆体装置的方法。方法包括以下操作：对多个晶粒上的多个记忆体阵列的更新时间周期计数；记录所计数更新时间周期以用于产生依赖于温度的晶粒间差异表；基于与记忆体阵列相关联的操作温度而在晶粒间差异表中查找，以获取更新时间；设置更新循环率以用于对多个晶粒上的记忆体阵列执行更新操作；以及由控制器对多个晶粒上的记忆体阵列执行更新操作。

亦揭示一种包括以下操作的用以更新记忆体装置的方法：感测与晶粒上的记忆体阵列相关联的第一操作温度；根据第一操作温度自查找表获取对应于记忆体阵列的第一更新时间；以及以对应于该第一更新时间的第一更新循环率更新记忆体阵列中所储存的数据。

附图说明

当结合附图阅读时，根据以下详细描述最佳理解本揭示案的诸态样。应注意，根据业界的标准实践，各种特征并未按比例绘制。事实上，出于论述清楚的目的，可任意地增大或缩小各种特征的尺寸。

图1A是根据本揭示案的各种实施例的包括多个集成电路(晶片/晶粒)的晶圆的示意图；

图1B是展示根据本揭示案的各种实施例的晶粒间分布相对其归一化更新时间的示意性曲线图；

图2是根据本揭示案的其他实施例的记忆体系统的示意图；

图3是根据本揭示案的一些实施例的方法的流程图；

图4是展示根据本揭示案的各种实施例的记忆体阵列的更新/操作温度相对其更新时间的示意性曲线图；

图5是展示根据本揭示案的一些实施例的对应于图3的方法的详细操作的流程图；

图6是展示根据本揭示案的一些实施例的对应于图3的方法的详细操作的流程图；

图7是根据本揭示案的各种实施例的计算机系统的示意图。

【符号说明】

100:半导体晶圆

110:集成电路晶粒/IC晶粒

111:记忆体装置

C1:曲线

C2:曲线/回归线

200:记忆体系统

210:记忆体控制器

212:处理单元

214:计时器(排程器)

216:更新控制器