[发明专利]传感器封装结构和电子设备

权利要求书

1.一种传感器封装结构，其特征在于，包括：

罩盖；

基板，所述基板与所述罩盖围合形成容置腔，所述容置腔的内壁开设有连通外界的导通孔；

ASIC芯片，所述ASIC芯片设于所述容置腔内，并与所述基板电连接；及

传感器芯片，所述传感器芯片连接于所述导通孔的周缘，并与所述ASIC芯片电连接；及

发泡胶膜，所述发泡胶膜设于所述容置腔内，并遮盖所述导通孔设置；

所述基板开设所述导通孔，所述传感器芯片通过热熔胶膜连接于所述导通孔的周缘，所述发泡胶膜连接于所述热熔胶膜的内周缘，并粘附在所述基板的表面，所述热熔胶膜与所述发泡胶膜设为一体结构，在所述发泡胶膜未加热的初始状态，发泡胶膜的厚度与热熔胶膜的厚度相同；

所述传感器芯片为MEMS芯片，所述MEMS芯片包括衬底和设于所述衬底远离所述基板的一端的振膜组件，所述衬底开设有与所述导通孔连通的通孔，所述通孔的开口尺寸大于所述导通孔的开口尺寸；

所述发泡胶膜在所述基板的投影面积大于等于所述导通孔的开口面积，小于等于所述通孔的开口面积。

2.如权利要求1所述的传感器封装结构，其特征在于，所述发泡胶膜的厚度小于等于所述衬底高度的一半。

3.如权利要求1所述的传感器封装结构，其特征在于，所述发泡胶膜的基材为聚四氟乙烯、聚乙烯或聚氨酯。

4.如权利要求1所述的传感器封装结构，其特征在于，所述热熔胶膜的厚度范围为10μm~50μm。

5.如权利要求1所述的传感器封装结构，其特征在于，所述热熔胶膜的材质为聚酰胺、聚醚砜树脂、热塑性聚氨酯弹性体橡胶、橡胶-树脂混合物、硅树脂。

6.如权利要求1所述的传感器封装结构，其特征在于，所述振膜组件与所述ASIC芯片通过第一金属线电连接。

7.如权利要求1所述的传感器封装结构，其特征在于，所述ASIC芯片粘接于所述基板，所述ASIC芯片通过第二金属线与所述基板电连接。

8.一种电子设备，其特征在于，包括壳体和设于所述壳体内的传感器封装结构，所述传感器封装结构为如权利要求1至7中任一项所述的传感器封装结构。