[发明专利]多层式芯片内置电感结构

权利要求书

1.一种多层式芯片内置电感结构，其特征在于，包括：

绝缘重布线层，设置于金属层间介电层上；以及

第一绕线部及第二绕线部，依一对称轴相互对称设置于该金属层间介电层及该绝缘重布线层内，且各自包括由内而外同心排列的第一半圈型堆叠层及第二半圈型堆叠层，且该第一半圈型堆叠层及该第二半圈型堆叠层各自包括：

第一走线层，位于该绝缘重布线层内；以及

第二走线层，位于该金属层间介电层内，且对应于该第一走线层，其中第一狭缝开口贯穿该第二走线层，且沿该第二走线层的长度延伸方向延伸。

2.如权利要求1所述的多层式芯片内置电感结构，其中该第一半圈型堆叠层及该第二半圈型堆叠层各自还包括：

多个导电插塞，位于该第一走线层与该第二走线层之间，使该第一走线层电连接该第二走线层。

3.如权利要求1所述的多层式芯片内置电感结构，还包括：

连接层对，设置于该第一绕线部与该第二绕线部之间，包括：

上跨接层，连接该第一绕线部的该第二半圈型堆叠层的该第一走线层与该第二绕线部的该第一半圈型堆叠层的该第一走线层；以及

下跨接层，连接该第一绕线部的该第一半圈型堆叠层的该第二走线层与该第二绕线部的该第二半圈型堆叠层的该第二走线层，其中第二狭缝开口贯穿该下跨接层，且沿该下跨接层的长度延伸方向延伸。

4.如权利要求3所述的多层式芯片内置电感结构，其中该第二狭缝开口连接该第一绕线部的该第一半圈型堆叠层的该第二走线层内的该第一狭缝开口与该第二绕线部的该第二半圈型堆叠层的该第二走线层内的该第一狭缝开口。

5.如权利要求3所述的多层式芯片内置电感结构，还包括第三狭缝开口贯穿该第二走线层，且沿该第一狭缝开口的长度延伸方向延伸。

6.如权利要求5所述的多层式芯片内置电感结构，还包括第四狭缝开口贯穿该下跨接层，且沿该第二狭缝开口的长度延伸方向延伸。

7.如权利要求6所述的多层式芯片内置电感结构，其中该第四狭缝开口连接该第一绕线部的该第一半圈型堆叠层的该第二走线层内的该第三狭缝开口与该第二绕线部的该第二半圈型堆叠层的该第二走线层内的该第三狭缝开口。

8.如权利要求1所述的多层式芯片内置电感结构，其中该第一绕线部的该第二半圈型堆叠层的该第二走线层的两端点各自与其内的该第一狭缝开口的两对应端点相隔一距离。

9.如权利要求1所述的多层式芯片内置电感结构，其中该第二绕线部的该第二半圈型堆叠层的该第二走线层的端点与其内的该第一狭缝开口的对应端点相隔一距离，且其中该第二绕线部的该第一半圈型堆叠层的该第二走线层的端点与其内的该第一狭缝开口的对应端点相隔一距离。

10.如权利要求1所述的多层式芯片内置电感结构，其中该第一走线层及该第二走线层各自具有内侧边缘及外侧边缘，且其中该第一走线层的该内侧边缘对准该第二走线层的该内侧边缘，且该第一走线层的该外侧边缘对准该第二走线层的该外侧边缘。

11.一种多层式芯片内置电感结构，其特征在于，包括：

绝缘重布线层，设置于金属层间介电层上；以及

第一绕线部及第二绕线部，依一对称轴相互对称设置于该金属层间介电层及该绝缘重布线层内，且各自包括由内而外同心排列的第一半圈型堆叠层及第二半圈型堆叠层，且该第一半圈型堆叠层及该第二半圈型堆叠层各自包括：

第一走线层，位于该绝缘重布线层内；

第二走线层，位于该金属层间介电层内，且对应形成于该第一走线层下方，其中第一狭缝开口贯穿该第二走线层，且沿该第二走线层的长度延伸方向延伸；以及

第三走线层，位于该金属层间介电层内，且对应形成于该第二走线层下方，其中第二狭缝开口贯穿该第三走线层，且对应形成于该第一狭缝开口下方。