[发明专利]一种基于硅基载板的化合物半导体晶圆正面加工方法

权利要求书

1.一种基于硅基载板的化合物半导体晶圆正面加工方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、通过蚀刻或磨边制作在化合物半导体基板正面边缘进行缓坡处理；

S2、将多个化合物半导体基板背面永久键合在硅基载板上；

S3、完成化合物半导体基板正面的晶圆制程；

S4、将化合物半导体基板正面暂时键合玻璃载板，去除硅基载板并完成化合物半导体基板背面减薄，再进行后续的晶圆背面制程。

2.根据权利要求1所述的基于硅基载板的化合物半导体晶圆正面加工方法，其特征在于，所述化合物半导体基板包括砷化镓基板、氮化镓基板和碳化硅基板，所述化合物半导体基板为碳化硅基板时先完成高温制程再进行步骤S1中永久键合硅基载板。

3.根据权利要求1所述的基于硅基载板的化合物半导体晶圆正面加工方法，其特征在于，所述步骤S2中化合物半导体基板和硅基载板永久键合后厚度小于1500μm，所述硅基载板直径大于化合物半导体基板。

4.根据权利要求1所述的基于硅基载板的化合物半导体晶圆正面加工方法，其特征在于，所述步骤S3中正面晶圆制程包括黄光制程、ILD制程、离子植入制程、金属制程和蚀刻制程。

5.根据权利要求4所述的基于硅基载板的化合物半导体晶圆正面加工方法，其特征在于，所述步骤S3中化合物半导体基板黄光制程中采用挡板遮挡化合物半导体基板，显影后去除化合物半导体基板间隙部分的沉积膜，再进行化合物半导体基板表面的图案制作。

6.根据权利要求1所述的基于硅基载板的化合物半导体晶圆正面加工方法，其特征在于，所述步骤S4中晶圆背面制程包括化合物半导体基板背面减薄、黄光制程、离子植入制程和金属制程。